[實用新型]曲面壓電晶片研磨裝置

無效

• 申請號: 200720184538.8
• 申請日: 2007-10-22
• 公開（公告）號: CN201151076Y
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 王祖勇
• 申請（專利權）人: 王祖勇
• 主分類號: B24B19/26
• 分類號: B24B19/26;B24B49/10
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司
• 代理人: 王學東

技術領域

本發明涉及一種對曲面壓電晶片進行研磨的曲面壓電晶片研磨裝置，尤其是涉及一種對曲面壓電晶片的研磨進度進行自動控制的曲面壓電晶片研磨裝置。

背景技術

曲面壓電晶片在電子設備中的使用范圍越來越廣，曲面壓電晶片制作工序是將石英晶片進行切割至要求的角度，并根據所需晶片的外形要求加工至指定的直徑，然后根據所需晶片的頻率要求進行研磨至指定的厚度(厚度和頻率成反比)，再進行電極涂層。

在同前的平面晶片厚度雙而研磨工藝中，有一種石英晶片研磨控制儀(ALC)，可以用來實時控制被研磨晶片的實際厚度或頻率。在使用中，這種石英晶片研磨控制儀(ALC)的探頭的上電極端連接研磨機的上研磨盤、下電極端連接下磨盤、接地極接地，研磨時先通過晶片的目標厚度計算出目標頻率，將目標頻率在石英晶片研磨控制儀(ALC)中設定，在研磨過程中不斷有相應的頻率傳送至石英晶片研磨控制儀(ALC)，當通過上下電極端傳送至石英晶片研磨控制儀(ALC)的頻率達到目標頻率時，石英晶片研磨控制儀(ALC)就自動控制研磨機停止研磨，此時被加工工件晶片的厚度即為目標厚度。

在現有的曲面壓電晶片厚度研磨工藝中，是將已加工至指定角度和直徑的石英晶片粘貼在晶片托架上，晶片托架通過自重將粘貼在其上的晶片向下磨盤推壓，隨著下磨盤的軸向轉動，晶片托架帶著晶片在下磨盤的工作面上作不規則的隨機轉動，從而達到研磨晶片的目的(見圖1、圖2)，在研磨到大致的厚度時，停止機械研磨，將研磨后的晶片取下，測量其厚度，然后進入手工研磨階段，將晶片手工研磨至所要求的厚度。由于現有的研磨過程分為機械研磨和手工研磨兩個階段，盡管其機械研磨階段研磨的晶片量較大，但是由于其每一片晶片均需經過手工研磨階段，不僅導致研磨的質量不穩定，同時也導致晶片的整體產量不高，效率低下，操作工的勞動強度高。

發明內容

本發明主要是解決現有技術所存在的曲面壓電晶片研磨質量不穩定的技術問題，提供一種研磨質量穩定的曲面壓電晶片研磨裝置。

本發明同時還解決現有技術所存在的曲面壓電晶片整體產量不高，效率低下，操作工的勞動強度高等的技術問題，提供一種曲面壓電晶片整體產量高、效率高且大大降低操作工的勞動強度的曲面壓電晶片研磨裝置。

本發明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：本發明包括下磨盤1，晶片托架2，晶片研磨控制儀8，下磨盤1和晶片托架2為導電金屬制作而成，下磨盤1連接晶片研磨控制儀8的探頭的下電極端，晶片托架2連接晶片研磨控制儀8的探頭的上電極端，晶片研磨控制儀8的探頭的接地極接地。

作為優選，本發明還包括上電極5和在上電極5外壁上的絕緣防護層6，晶片托架2的中心有一個通透的直徑略大于晶片3的直徑的軸向中心孔4，上電極5和絕緣防護層6插入軸向中心空4中，晶片研磨控制儀8的探頭的上電極端與上電極5連接。

作為優選，上電極5使用銅制作而成，下磨盤1使用鑄鐵制成，晶片托架2使用鐵制成。

作為優選，軸向中心孔4的直徑略大于絕緣防護層6的直徑。

作為優選，絕緣防護層6是絕緣護套。

作為優選，還包括在絕緣防護層6外壁上的金屬防護層7，軸向中心孔4的直徑略大于金屬防護層7的直徑。

作為優選，金屬防護層7為金屬護套。

作為優選，：金屬防護層7所使用的材料是鐵。

因此，本實用新型具有結構合理，思路獨特等特點，通過在晶片研磨裝置中加入晶片研磨控制儀，有效地控制了晶片研磨的質量，尤其是為曲面壓電晶片的研磨提供了一種不僅能有效提高質量的穩定性，提高合格產品的產量，也能夠有效降低操作工勞動強度的曲面壓電晶片的研磨裝置。

附圖說明

附圖1是現有技術的一種結構示意圖；

附圖2是附圖1的A向視圖；

附圖3是本發明的一種結構示意圖；

附圖4是附圖3的B向視圖；

附圖5是本發明的另一種結構示意圖；

附圖6是附圖5的C向視圖；

附圖7是本發明的第三種結構示意圖；

附圖8是附圖7的D向視圖；

具體實施方式

下面通過實施例，并結合附圖，對本發明的技術方案作進一步具體的說明。

實施例1：參見圖3、圖4，本發明包括下磨盤1，晶片托架2，晶片研磨控制儀8，下磨盤1使用鑄鐵制成，晶片托架2使用鐵制作而成，下磨盤1連接晶片研磨控制儀(ALC)8的探頭的下電極端，晶片托架2連接晶片研磨控制儀(ALC)8的探頭的上電極端，晶片研磨控制儀(ALC)8的探頭的接地極接地。