[實用新型]曲面壓電晶片研磨裝置

無效

• 申請號: 200720184538.8
• 申請日: 2007-10-22
• 公開（公告）號: CN201151076Y
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 王祖勇
• 申請（專利權）人: 王祖勇
• 主分類號: B24B19/26
• 分類號: B24B19/26;B24B49/10
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司
• 代理人: 王學東

1.一種曲面壓電晶片研磨裝置，包括下磨盤(1)，晶片托架(2)，其特征在于：還包括晶片研磨控制儀(8)，所述的下磨盤(1)和晶片托架(2)為導電金屬制作而成，所述的下磨盤(1)連接所述的晶片研磨控制儀(8)的探頭的下電極端，所述的晶片托架(2)連接所述的晶片研磨控制儀(8)的探頭的上電極端，所述的晶片研磨控制儀(8)的探頭的接地極接地。

2.根據權利要求1所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：還包括上電極(5)和在所述的上電極(5)外壁上的絕緣防護層(6)，所述的晶片托架(2)的中心有一個通透的直徑略大于晶片(3)的直徑的軸向中心孔(4)，所述的上電極(5)和絕緣防護層(6)插入所述的軸向中心空(4)中，所述的晶片研磨控制儀(8)的探頭的上電極端與所述的上電極(5)連接。

3.根據權利要求1或2所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：所述的上電極(5)使用銅制作而成，所述的下磨盤(1)使用鑄鐵制成，所述的晶片托架(2)使用鐵制成。

4.根據權利要求2所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：所述的軸向中心孔(4)的直徑略大于所述的絕緣防護層(6)的直徑。

5.根據權利要求2或4所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：所述的絕緣防護層(6)是絕緣護套。

6.根據權利要求2所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：還包括在所述絕緣防護層(6)外壁上的金屬防護層(7)，所述的軸向中心孔(4)的直徑略大于所述的金屬防護層(7)的直徑。

7.根據權利要求6所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：所述的金屬防護層(7)是金屬護套。

8.根據權利要求6或7所述的曲面壓電晶片研磨裝置，其特征在于：所述的金屬防護層(7)所使用的材料是鐵。