[實用新型]以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構

無效

• 申請號: 200720176769.4
• 申請日: 2007-10-18
• 公開（公告）號: CN201087904Y
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 汪秉龍;莊峰輝;洪基紋;陳家宏
• 申請（專利權）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/02;H01L23/04;H01L23/08;H01L23/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于，包括：

一陶瓷基板，其具有一本體、及復數個彼此分開且分別從該本體延伸而出的突塊；

一導電單元，其具有復數個分別成形于該等突塊表面的導電層；

一中空陶瓷殼體，其固定于該陶瓷基板的本體的頂面上以形成一容置空間，并且該容置空間曝露出該等導電層的頂面；

復數個發光二極管芯片，其分別設置于該容置空間內，并且每一個發光二極管芯片的正、負電極端分別電性連接于不同的導電層；以及

一封裝膠體，其填充于該容置空間內，以覆蓋該等發光二極管芯片。

2.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該陶瓷基板的本體的側面具有復數個分別形成于每兩個突塊之間的半穿孔。

3.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該本體與該中空陶瓷殼體為兩個相互配合的長方體。

4.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該導電單元更進一步包括：

一第一導電單元，其具有復數個分別成形于該等突塊表面的第一導電層；

一硬度強化單元，其具有復數個分別成形于該等第一導電層上的硬度強化層；以及

一第二導電單元，其具有復數個分別成形于該等硬度強化層上的第二導電層；

藉此，該等第一導電層、該等硬度強化層及該等第二導電層依序組合成該導電層。

5.如權利要求4所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該第一導電層為銀膏層。

6.如權利要求4所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該硬度強化層為鎳層。

7.如權利要求4所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該第二導電層為金層或銀層。

8.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該導電單元更進一步包括：

一第一導電單元，其具有復數個分別成形于該等突塊表面的第一導電層；以及

一第二導電單元，其具有復數個分別成形于該等第一導電層上的第二導電層，其中每一個第二導電層為一硬度強化導電層；

藉此，該等第一導電層及該等第二導電層組合成該導電層。

9.如權利要求8所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該第一導電層為銀膏層。

10.如權利要求8所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該第二導電層為金層或銀層。

11.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該容置空間是以朝上的方式，以使得該等導電層的底面接觸于一電路板。

12.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該容置空間是以朝向側面的方式，以使得該等導電層的側面接觸于一電路板。

13.如權利要求1所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該等導電層分成復數個正極導電部及負極導電部。

14.如權利要求13所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該發光二極管芯片的正、負電極端分別設置于每一個發光二極管芯片的上表面；藉此，透過打線的方式，以使得每一個發光二極管芯片的正、負電極端分別透過兩導線而電性連接于相鄰的正極導電部及負極導電部。

15.如權利要求13所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該發光二極管芯片的正、負電極端分別設置于每一個發光二極管芯片的下表面與上表面；藉此，透過打線的方式，以使得每一個發光二極管芯片的正電極端直接電性連接于相對應的正極導電部，并且每一個發光二極管芯片的負電極端則透過一導線而電性連接于相對應的負極導電部。

16.如權利要求13所述的以陶瓷為基板的發光二極管芯片封裝結構，其特征在于：該發光二極管芯片的正、負電極端分別設置于每一個發光二極管芯片的下表面；藉此，透過覆晶的方式，以使得每一個發光二極管芯片的正、負電極端分別透過復數個相對應的錫球而電性連接于相鄰的正極導電部及負極導電部。