[實(shí)用新型]一種SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720171689.X
• 申請(qǐng)日: 2007-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN201130926Y
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊紹華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 楊紹華
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/10;H01L23/02;H01L25/00
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技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及到一種晶體諧振器的陶瓷封裝技術(shù)，尤其涉及到一種SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件。

背景技術(shù)

目前晶體諧振器主要是塑料及金屬封裝，由于電子元件表面貼裝技術(shù)(SMT)及小型化的要求，部分對(duì)可靠性要求高的高階產(chǎn)品有使用SMD陶瓷封裝，阻礙SMD陶瓷封裝推廣的主要因素是陶瓷封裝的成本太高，以及后序密封工序要使用平行封焊，這樣會(huì)使設(shè)備投資太大。現(xiàn)有晶體諧振器結(jié)構(gòu)如圖1至圖6所示，共燒陶瓷層由相疊合的第一共燒陶瓷層(a)、第二共燒陶瓷層(b)和第三共燒陶瓷層(c)組成，共燒陶瓷層為氧化鋁陶瓷，金屬化為鎢(W)或鉬(Mo)，于第三共燒陶瓷層上釬焊一層可伐(Kovar)框(6)，將諧振晶體(7)安裝完成后，再平行封焊一層可伐蓋板(5)。另外其還包括底面焊盤(1、2、3、4)，導(dǎo)電膠(8)，內(nèi)部導(dǎo)通孔(9)，平面導(dǎo)電層(10)和邊緣導(dǎo)通孔(11)。

現(xiàn)有晶體諧振器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)的不足之處是：其產(chǎn)品設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，阻礙了SMD陶瓷封裝的推廣應(yīng)用。究其原因如下所述：a.陶瓷層由三層共燒陶瓷結(jié)構(gòu)構(gòu)成，產(chǎn)品設(shè)計(jì)復(fù)雜，工序繁多，工藝成本高。b.采用可伐框結(jié)構(gòu)，需要在氣氛保護(hù)下用Ag/Cu焊料釬焊，材料及工藝成本高。c.暴露在外的金屬部分太多，需電鍍金的面積大，鍍金成本高。d.用戶在使用該封裝時(shí)必須購(gòu)買可伐蓋板，使用平行封焊工藝，設(shè)備投資大及生產(chǎn)成本高。

基于上述晶體諧振器一般封裝技術(shù)的不足之處，本發(fā)明人設(shè)計(jì)了本實(shí)用新型“一種SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件”。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種降低生產(chǎn)成本，促進(jìn)SMD晶體諧振器陶瓷封裝的推廣，提高晶體諧振器的可靠性及滿足SMT及小型化要求的SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件，包括共燒陶瓷層和陶瓷蓋板，所述的共燒陶瓷層由相疊合的第一共燒陶瓷層和第二共燒陶瓷層組成，于第二共燒陶瓷層設(shè)有一用以容納晶體的空腔，于第二共燒陶瓷層的上方蓋設(shè)有一層陶瓷蓋板，于第一共燒陶瓷層的上側(cè)設(shè)有印刷而成的用于支撐晶體及把諧振晶體上的電極通過(guò)第一層上的導(dǎo)通孔與底面焊盤導(dǎo)通的凸臺(tái)，其中凸臺(tái)包括用于支撐功能的支撐凸臺(tái)和兩個(gè)用于導(dǎo)電及支撐功能的支撐導(dǎo)電凸臺(tái)，支撐凸臺(tái)的主要作用就是為諧振晶體提供振動(dòng)空間，于第一共燒陶瓷層的外周設(shè)有用于導(dǎo)通底面焊盤和諧振晶體的導(dǎo)通孔。

所述的第一共燒陶瓷層的上側(cè)還設(shè)有一平面導(dǎo)電層。

所述的導(dǎo)通孔為邊緣導(dǎo)通孔或內(nèi)部導(dǎo)通孔。

本實(shí)用新型一種SMD晶體諧振器用陶瓷封裝件的有益效果是：

a.陶瓷封裝上的晶體振蕩用凸臺(tái)采用印刷工藝制成，共燒陶瓷板層數(shù)從3層減少到2層，簡(jiǎn)化共燒陶瓷工藝，減少生產(chǎn)成本。

b.去除可伐框及可伐蓋板，而使用陶瓷蓋板低溫玻璃或樹脂密封。減少了氣氛保護(hù)釬焊工藝及減少了可伐框材料，降低了生產(chǎn)成本。

c.設(shè)計(jì)上減少暴露的金屬部分，從而降低了鍍金面積，降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)減少了導(dǎo)通孔的數(shù)量及導(dǎo)電布線的長(zhǎng)度，產(chǎn)品電性能得到了提高。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是現(xiàn)有晶體諧振器陶瓷封裝(不帶可伐蓋板)的正面視圖；

圖2是現(xiàn)有晶體諧振器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是現(xiàn)有晶體諧振器的第一共燒陶瓷層的正面視圖；

圖4是現(xiàn)有晶體諧振器的第一共燒陶瓷層的后側(cè)視圖；

圖5是現(xiàn)有晶體諧振器的第二共燒陶瓷層的正面視圖；

圖6是現(xiàn)有晶體諧振器的第三共燒陶瓷層的正面視圖；

圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一(不帶陶瓷蓋板)的正面視圖；

圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一(包含晶體)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一的后側(cè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例一中第二共燒陶瓷層的正面視圖；

圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例一中第一共燒陶瓷層的正面視圖；

圖12是本實(shí)用新型實(shí)施例二(不帶陶瓷蓋板)的正面視圖；

圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例二(包含晶體)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是本實(shí)用新型實(shí)施例二的后側(cè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是本實(shí)用新型實(shí)施例二中第二共燒陶瓷層的正面視圖；

圖16是本實(shí)用新型實(shí)施例二中第一共燒陶瓷層的正面視圖。

具體實(shí)施方式

參照?qǐng)D7至圖16，本實(shí)用新型是這樣實(shí)施的：