[實(shí)用新型]發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720154622.5
• 申請日: 2007-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN201044245Y
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣人達(dá);張嘉顯;李曉喬;吳易座
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L23/36;H01L23/488;H01S5/024
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種能將半導(dǎo)體發(fā)光元件操作時(shí)所產(chǎn)生的熱迅速導(dǎo)出的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

整合照相功能的手機(jī)是目前市場上的趨勢，應(yīng)用于手機(jī)照相功能的閃光燈為Flash?LED，與傳統(tǒng)數(shù)位相機(jī)相比，F(xiàn)lash?LED閃光燈具有較省電、可長時(shí)間使用等優(yōu)勢。

由于Flash?LED閃光燈必須具備高亮度和能通過大電流的特性，才能在瞬間提供足夠的亮度來補(bǔ)足拍照時(shí)需要的光線。然而，大功率LED的發(fā)熱量比小功率LED高出數(shù)十倍以上，且溫度升高會(huì)使發(fā)光效率大幅降低，因此減少發(fā)光半導(dǎo)體元件本身及封裝體的熱阻抗及提高散熱順暢性是目前努力的方向。

一般高功率LED主要是采用陶瓷材料作為基板，陶瓷材料具有較薄、散熱均勻及熱阻系數(shù)較佳等優(yōu)勢而被廣泛使用。然而，陶瓷基板的制作技術(shù)門檻高、費(fèi)用昂貴，且材質(zhì)脆弱易碎，導(dǎo)致LED的封裝設(shè)計(jì)受到限制。

由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的發(fā)光二極管，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管存在的缺陷，本設(shè)計(jì)人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的發(fā)光二極管，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的發(fā)光二極管，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本實(shí)用新型。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管存在的缺陷，而提供一種新型的發(fā)光二極管，所要解決的技術(shù)問題是使其解決傳統(tǒng)高功率發(fā)光二極管散熱性不佳的問題，非常適于實(shí)用。

本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管至少包含：一半導(dǎo)體基板，包含一上表面、一下表面；多數(shù)個(gè)導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞，嵌于該半導(dǎo)體基板中；多數(shù)個(gè)金屬電極，每一該些金屬電極具有：一第一部，附著于該上表面，與該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞接觸；以及一第二部，附著于該下表面，與該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞接觸，借由該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞與該第一部相連接；以及至少一發(fā)光半導(dǎo)體元件，固定于其中一金屬電極的第一部上，以多數(shù)金屬線分別電性連接該些金屬電極與發(fā)光半導(dǎo)體元件之間。

本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

前述的發(fā)光二極管，其更包含一高反射性鍍層披覆于該上表面。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的高反射性鍍層包含銀或金鍍層。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的半導(dǎo)體基板為硅基板。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的半導(dǎo)體基板為砷化鎵基板。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為金屬構(gòu)成的填塞體。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為金屬粉與樹脂混合所構(gòu)成的填塞體。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為石墨構(gòu)成的填塞體。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為石墨粉與樹脂混合所構(gòu)成的填塞體。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的金屬電極為金、銀、銅或合金構(gòu)成的片體。

前述的發(fā)光二極管，其中所述的金屬線為金線、銀線、鋁線或合金線。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)內(nèi)容可知，為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管，包含一半導(dǎo)體基板、貫穿半導(dǎo)體基板的多數(shù)個(gè)導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞、附著于此半導(dǎo)體基板的多數(shù)個(gè)金屬電極及固定于金屬電極上的發(fā)光半導(dǎo)體元件。

其中，每一金屬電極具有一第一部及一第二部，分別附著于半導(dǎo)體基板的上、下表面。導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞分別與金屬電極的第一部及一第二部接觸，借由此導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞可連接金屬電極的第一部與第二部之間。發(fā)光半導(dǎo)體元件固定于金屬電極的第一部上，利用金屬線與金屬電極電性連接。

依照本實(shí)用新型一實(shí)施例，半導(dǎo)體基板的形狀可為一凹杯狀，可為由硅、砷化鎵所構(gòu)成的板體。半導(dǎo)體基板的上表面可披覆一高反射性鍍層，用以反射光線來提高亮度。導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞可為由金屬、石墨或?qū)щ娔z所構(gòu)成的填塞體。