[實(shí)用新型]發(fā)光二極管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720154622.5
• 申請(qǐng)日: 2007-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN201044245Y
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣人達(dá);張嘉顯;李曉喬;吳易座
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L23/36;H01L23/488;H01S5/024
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管至少包含：

一半導(dǎo)體基板，包含一上表面、一下表面；

多數(shù)個(gè)導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞，嵌于該半導(dǎo)體基板中；

多數(shù)個(gè)金屬電極，每一該些金屬電極具有：

一第一部，附著于該上表面，與該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞接觸；以及

一第二部，附著于該下表面，與該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞接觸，借由該導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞與該第一部相連接；以及

至少一發(fā)光半導(dǎo)體元件，固定于其中一金屬電極的第一部上，以多數(shù)金屬線分別電性連接該些金屬電極與發(fā)光半導(dǎo)體元件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其更包含一高反射性鍍層披覆于該上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的高反射性鍍層包含銀或金鍍層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體基板為硅基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的半導(dǎo)體基板為砷化鎵基板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為金屬構(gòu)成的填塞體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為金屬粉與樹脂混合所構(gòu)成的填塞體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為石墨構(gòu)成的填塞體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的導(dǎo)電/導(dǎo)熱插塞為石墨粉與樹脂混合所構(gòu)成的填塞體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的金屬電極為金、銀、銅或合金構(gòu)成的片體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于其中所述的金屬線為金線、銀線、鋁線或合金線。