[實用新型]低感大儲能單圈式線圈結構

有效

• 申請號: 200720151355.6
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN201066606Y
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 羅鵬程
• 申請（專利權）人: 美桀科技股份有限公司
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F37/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本實用新型涉及一種電感結構。

背景技術

如圖1所示，是一般現有的電感結構1，其包含：一磁體11；一導線12，所述的導線12繞設在磁體11上；

請再參閱圖2所示，是另一電感結構2，其包含：一磁體21，所述的磁體21開設有間隙24；一導線22，所述的導線22繞設在磁體21上；

請再參閱圖3是電感B-H曲線的示意圖，其中，曲線13是代表圖1的電感結構1其B-H曲線，而曲線23是代表圖2的電感結構2其B-H曲線，而BMAX則表示所述的磁體11、21的最大磁通密度，再由圖3中可知開設有間隙24的電感結構2其B-H曲線較電感結構1的B-H曲線平緩，再由電感的磁場強度(H)的公式為：

H=NI1]]>

H：電廠強度N：匝數1：磁體長度I：電流

可知所述的電感結構2要到達磁飽和時其電流(I)較電感結構1大(因N、1都為定值)，又由電感的儲能公式：

W=12LI2]]>

即可得知，當電感結構2與電感結構1都在BMAX時，電感結構2的電流(I)較電感結構1大，故電感結構2其飽和儲能效果較電感結構1佳，因此，在所述的低感大儲能電感在實際應用上通常都設有間隙24，且由上述可知若間隙24越大，電感的B-H曲線將越平緩，故電流(I)越大，則電感的飽和儲能(W)效果越佳；

請再參閱圖4所示，是目前市面上常用的“SMD低感大儲能電感”，其包含：一磁體3，所述的磁體3設有槽孔31與間隙32，且所述的槽孔31寬與端子片相對應或略大于；一端子片33，所述的端子片33是一扁平狀的導體，且所述的端子片33設置在槽孔31內；

但是，上述現有的“SMD低感大儲能電感”雖可憑借磁體3設有間隙32，而增加所述的電感的儲能效果；但是，所述的“SMD低感大儲能電感”為了可做SMD(表面粘著技術)，而采用端子片33，因而使磁體3其槽孔31需開設一較大面積的洞孔以配合端子片33的大小，進而導致所述的電感在產生磁路路徑34時，所述的磁路路徑34較長，同時也使得端子片33左右兩側方向的磁體3其截面積較小；

再由電感(L)公式為：

L=NΦ1]]>

L：電感量N：匝數Φ：磁力線數1：磁路長度

與磁力線數(Φ)為：

Φ＝B·A

B：磁通密度Φ：磁力線數A：磁力線數垂直通過的截面積

即可得知，所述的SMD低感大儲能電感其磁路路徑34較長與截面積(A)較小，進而導致所述的SMD低感大儲能電感其本身的電感量較低，因本身的電感量較低，就必需縮小加工間隙32，否則電感的電感量將不符市場需求，進而導致加工上的不便，而間隙32較小由前述可知其電感的飽和儲能(W)效果也較差；

再者，若在磁力線數(Φ)不變的情形下，若磁體3其截面積(A)較小，則其所產生的磁通密度(B)越高，因此，所述的SMD低感大儲能電感其磁飽和效果也較差；因此，如何將上述等缺失加以摒除，并提供一種可開設較大間隙以方便加工，同時縮短磁路、增大截面積，以達到良好的飽和儲能效果與磁飽和效果，即為本案實用新型所欲解決的技術困難點的所在。

發明內容

本實用新型的主要目的即在提供一種低感大儲能單圈式線圈結構，使其截面積較大、磁飽和效果也較佳。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案包括：