[實用新型]低感大儲能單圈式線圈結構有效
| 申請號： | 200720151355.6 | 申請日： | 2007-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN201066606Y | 公開（公告）日： | 2008-05-28 |
| 發明（設計）人： | 羅鵬程 | 申請（專利權）人： | 美桀科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01F17/00 | 分類號： | H01F17/00;H01F37/00 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低感大儲能單圈式 線圈 結構 | ||
1.一種低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于，包括有：
一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的下磁體設有槽溝，且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下；
一導體，所述的導體是穿伸設置在槽溝內；
一間隙，所述的間隙設在上磁體與下磁體間。
2.根據權利要求1所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的導體兩側向下彎折為端子。
3.根據權利要求1所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體兩側設有導槽。
4.根據權利要求1所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體底部設有底部導槽。
5.一種低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于，包括有：
一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設有槽溝，且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下；
一導體，所述的導體是穿伸設置在槽溝內；
一間隙，所述的間隙設在上磁體與下磁體。
6.根據權利要求5所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的導體兩側向下彎折為端子。
7.根據權利要求5所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體兩側設有導槽。
8.根據權利要求5所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體底部設有底部導槽。
9.一種低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于，包括有：
一磁體，所述的磁體是由一上磁體與一下磁體組成，所述的上磁體設有上槽溝，所述的下磁體設有下槽溝，所述的上槽溝與下槽溝相組成槽溝，且所述的槽溝寬與磁體整體寬的比例為1/3以下，且槽溝高與磁體整體高的比例為1/3以下；
一導體，所述的導體是穿伸設置在槽溝內；
一間隙，所述的間隙設在上磁體與下磁體。
10.根據權利要求9所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的導體兩側向下彎折為端子。
11.根據權利要求9所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體兩側設有導槽。
12.根據權利要求9所述的低感大儲能單圈式線圈結構，其特征在于：所述的下磁體底部設有底部導槽。
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