[實用新型]光感測芯片封裝結構無效
| 申請號: | 200720143894.5 | 申請日: | 2007-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN201054354Y | 公開(公告)日: | 2008-04-30 |
| 發明(設計)人: | 顏子殷 | 申請(專利權)人: | 菱生精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光感測 芯片 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型是與光感測芯片有關,特別是關于一種光感測芯片封裝結構。
背景技術
按,為了確保光感測芯片的性能以及穩定性,光感測芯片于封裝時,必須考量到機械支持、光線干擾的問題,以確保其測量數值的可靠度。一般光感測芯片多選以模造成型(molding)方式進行封裝,具有簡化制程的特色。
然而,在封裝期間,光感測芯片的作用區是直接暴露于外界,作用區可能在模壓過程中造成破壞,致使光感測芯片毀損故障。再者,此種結構容易使粉塵或油污掉落于該作用區而形成污損,使光感測芯片的感測效果受到影響。另外,此種結構的作用區死角較多而不容易清理,一般的非接觸式工具只能針對粉塵進行清理,例如:真空吸引器。若要對油污進行清理,則必須通過接觸式清潔工具進行清理;但是,當清潔工具接觸該作用區時,很容易對作用區造成磨損。
綜上所述,已知光感測芯片封裝結構具有上述缺點而有待改進。
實用新型內容
本實用新型的主要目的在于提供一種光感測芯片封裝結構,其于光感測芯片的作用區覆設一透光薄膜,能夠降低該作用區的擦傷風險,具有保護光感測芯片的作用區的特色。
為達成上述目的,本實用新型所提供一種光感測芯片封裝結構,其特征在于,包含有:
一基板;
一光感測芯片,設于該基板一側,且具有一作用區以及一非作用區,該非作用區位于該作用區周圍;
一透光薄膜,覆設于該作用區;
若干導線,電性連接該光感測芯片與該基板;以及
一封裝層,設于該基板且包覆該非作用區、該透光薄膜周緣以及該等導線,而形成一開放區對應于該作用區。
其中該透光薄膜還包含有一偏光隔離層。
其中該封裝結構包含有一透光玻璃,該透光玻璃設于該封裝層而遮蔽該開放區。
其中該基板包含有一散熱墊以及若干散熱信道,該散熱墊位于該基板另一側,各該散熱信道一端連通該光感測芯片,另一端連通該散熱墊。
本實用新型的有益效果是:
本實用新型的光感測芯片封裝結構運用透光薄膜,能夠減少模具壓傷光感測芯片的機率,并降低該作用區的擦傷風險,并于進行封裝以及清潔作業時保護光感測芯片的作用區,其相較于現有技術,適合用于需要暴露于外的環境。
另外,本實用新型更運用一偏光隔離層,能夠進一步改善反光以及眩光的問題,其相較于現有技術,能夠有效降低光線干擾,具有確保光感測芯片穩定性的特色。
附圖說明
為了詳細說明本實用新型的結構、特征及功效所在,以下較佳實施例并配合附圖說明如后,其中:
圖1為本實用新型第一較佳實施例的結構示意圖。
圖2為本實用新型第二較佳實施例的結構示意圖。
圖3為本實用新型第三較佳實施例的結構示意圖。
圖4為本實用新型第四較佳實施例的結構示意圖。
具體實施方式
首先請參閱圖1,其是為本實用新型第一較佳實施例所提供的光感測芯片封裝結構10,其主要包含有一基板20、一光感測芯片30、一透光薄膜40、若干導線50以及一封裝層60。
該基板20是選自環氧聚化合物(Epoxy)、有機基板(organic?fiber?glass?substrates)、玻璃纖維板(glass?fibre?board)或聚氧化二甲基苯(Polyphenylene?Ether;PPE)材質所制成,本實施例中選以有機基板(organic?fiber?glass?substrates)為例。其中,本實施例的該基板20并非本實用新型的技術特征所在,在此容不贅述。
該光感測芯片30設于該基板20頂側,且具有一作用區32以及一非作用區34;該非作用區32位于該作用區34周圍。該光感測芯片30是為CCD(charge-coupled?device);其中,本實施例的該光感測芯片30并非限定該光感測芯片30為以上類型,只是具體指出應用的態樣。
該透光薄膜40覆設于該作用區32頂側;其中,該透光薄膜40并非限定為透明無色,該透光薄膜40可因應使用需求而選用不同透光率的透光材料。
該等導線50是電性連接該光感測芯片30與該基板20。
該封裝層60設于該基板20且包覆該非作用區34、該透光薄膜40周緣以及該等導線50,而形成一開放區62是對應于該作用區32,用以供光線穿過該開放區52而投射于該作用區32。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





