[實用新型]反應腔

無效

• 申請號: 200720142563.X
• 申請日: 2007-05-22
• 公開（公告）號: CN201112360Y
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 張力夫;徐大鎮;吳書明;蔡慶文;楊易昌
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本實用新型涉及一種半導體設備，且特別是涉及一種等離子體蝕刻工藝中使用的反應腔。

背景技術

等離子體是一種受到部分離子化的氣體(partially?ionized?gas)，經由電場的加速，對分子或原子團進行撞擊來產生離子化反應。在半導體工藝中，等離子體(plasma)受到廣泛的應用，例如是應用于清潔(cleaning)、涂布(coating)、濺射(sputtering)、等離子體化學氣相沉積(plasma?CVD)、離子注入(ionimplantation)或是蝕刻(etching)等。

不管是等離子體清洗機器、等離子體蝕刻機器或是等離子體沉積機器等，都會利用離子轟擊(例如轟擊靶材或是晶片表面)的方式來進行，這使得反應腔壁與晶片上，會產生微粒，造成污染。

圖1與圖2是繪示已知淹沒式等離子體系統及其反應腔與晶片的示意圖。以圖1與圖2中的淹沒式等離子體系統(plasma?flood?system)的離子注入機器為例，已知淹沒式等離子體系統105的反應腔100具有一個開口110，反應腔100中產生的射線120由開口110中射出，撞擊至晶片130。其中，反應腔100開口110表面的遮板140與晶片130表面之間的距離很短，約為10厘米左右，且遮板140具有光滑的表面。

在進行離子注入的過程中，通常會先在晶片130上形成一層圖案化光致抗蝕劑，覆蓋住不欲注入離子的區域。隨著離子注入的進行，光致抗蝕劑中產生的脫氣(outgas)會大量地附著在開口110的表面。當這些脫氣過多時，會造成剝落(peeling)現象，而導致微粒的形成，這些微粒會污染反應腔及晶片130表面，導致缺陷的數量大增。

實用新型內容

鑒此，本實用新型的目的之一在于提供一種反應腔，其具有粗糙的表面，減少離子轟擊造成的微粒，進而降低缺陷的數目，提高成品率。

本實用新型提出一種反應腔，適用于等離子體工藝機器，反應腔具有開口，開口表面設置有遮板，其中，遮板與晶片的表面相對，且遮板的表面為粗糙的表面。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中粗糙的表面包括波浪狀表面或鋸齒狀表面。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中遮板的表面包括多條橫紋或多條直紋。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中遮板的表面包括多個分散的突起。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中遮板包括上遮板與下遮板，固定于開口表面。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中上遮板與下遮板夾一角度。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中上遮板與下遮板分別呈ㄇ字形。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中遮板的材料包括石墨。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中反應腔的材料包括石墨。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中反應腔適用于淹沒式等離子體系統(Plasma?Flood?System)。

依照本實用新型的實施例所述的反應腔，其中等離子體工藝機器包括等離子體清洗機器、等離子體蝕刻機器、等離子體沉積機器與等離子體注入機器。

本實用新型因采用具有粗糙表面的反應腔開口，因此，在進行等離子體工藝的步驟中，可以有效地增加附著涂布的表面積，而降低剝落的機會，不但大幅減少了缺陷數目，提高加工的成品率，也有助于延長遮板的使用壽命，節省制造成本。

為讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并結合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是繪示已知淹沒式等離子體系統的結構示意圖。

圖2是繪示已知淹沒式等離子體系統其反應腔與晶片的示意圖。

圖3A是繪示本實用新型實施例的一種反應腔的結構圖。

圖3B是繪示本實用新型實施例的一種反應腔的遮板上視圖。

圖3C是繪示本實用新型實施例的一種反應腔的遮板剖面圖。

圖4是繪示本實用新型實驗例的反應腔遮板改造前與改造后的缺陷數目圖。

簡單符號說明

100、300：反應腔

105：淹沒式等離子體系統

110、310：開口

120：射線

130：晶片

140、340：遮板

340a：上遮板

340b：下遮板

350：螺釘

具體實施方式