[實用新型]反應腔無效
| 申請號: | 200720142563.X | 申請日: | 2007-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN201112360Y | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 張力夫;徐大鎮;吳書明;蔡慶文;楊易昌 | 申請(專利權)人: | 力晶半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 | ||
1.?一種反應腔,適用于等離子體工藝的機器,其特征在于該反應腔具有開口,該開口表面設置有遮板,其中,該遮板與晶片的表面相對,且該遮板的表面為粗糙的表面。
2.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該粗糙的表面包括波浪狀表面或鋸齒狀表面。
3.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該遮板表面包括多條橫紋。
4.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該遮板表面包括多條直紋。
5.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該遮板表面包括多個分散的突起。
6.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該遮板包括上遮板與下遮板,固定于該開口表面。
7.?如權利要求6所述的反應腔,其特征在于其中該上遮板與該下遮板夾一角度。
8.?如權利要求6所述的反應腔,其特征在于其中該上遮板與該下遮板分別呈ㄇ字形。
9.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該遮板的材料包括石墨。
10.?如權利要求1所述的反應腔,其特征在于其中該反應腔的材料包括石墨。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





