[實用新型]基板處理裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720139676.4 | 申請日: | 2007-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN201044235Y | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 富藤幸雄 | 申請(專利權)人: | 大日本網(wǎng)目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人: | 王玉雙 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種基板處理裝置,該基板處理裝置在液晶顯示器件(LCD)、等離子顯示器件(PDP)、半導體器件、印刷電路板、有機EL(electro?luminescence:電致發(fā)光)基板、FED(Field?emission?display:場致發(fā)射顯示器)基板等的制造工藝中,對LCD或PDP用玻璃基板、半導體基板、印刷電路板、有機EL基板、FED基板等進行各種處理、例如進行清洗處理。
背景技術
在日本的專利文獻1(JP特開2004-273984號)中記載有可以對蝕刻處理后的基板表面進行沖洗處理的基板處理裝置。即,在處理腔室12的入口側(cè)開口14附近上方配置有狹縫狀的入口噴嘴20,當基板W被搬入到水洗處理部10的處理腔室12內(nèi)時,從入口噴嘴20呈簾狀供給沖洗液,當基板W進一步向搬送方向下游側(cè)搬送時,從上部射流噴嘴22向基板W的上表面供給沖洗液直到基板W從處理腔室12內(nèi)搬出為止。這樣,通過在處理腔室12入口附近從狹縫狀的入口噴嘴20向正下方的基板表面呈簾狀供給所需要的沖洗液,從而在短時間內(nèi)用沖洗液進行置換,其后從上部射流噴嘴22進行沖洗液的供給,由此防止由于殘存有在前階段處理中使用的處理液而導致的、在基板表面上形成的配線圖案的形狀或線寬的均勻性惡化的情況。
通過使入口噴嘴20為狹縫狀從而能夠使沖洗液呈簾狀噴出,并且為了在基板寬度方向上確保均勻的噴出量,優(yōu)選使狹縫的間隙窄到零點幾毫米的程度。
但是,當狹縫間隙尺寸狹窄時,狹縫的一部分就容易被異物堵住,或容易附著異物。若堵塞異物,則不能從該部分噴出沖洗液,所以沖洗液的簾就會割裂。該割裂會使沖洗液在基板表面的寬度方向上產(chǎn)生供給不均,因此在基板的寬度方向上會產(chǎn)生處理不均,從而不能實現(xiàn)均勻的處理。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型鑒于上面的情況而提出的,其目的在于提供一種基板處理裝置,通過至少兩次呈簾狀供給處理液而顯著降低在基板的表面供給處理液不均的發(fā)生概率,且通過增大處理液的供給量來提高處理液的置換性能。
本實用新型的第一方案是一種基板處理裝置,其在處理槽內(nèi)對在搬送路徑上搬送的基板供給處理液,從而進行給定的處理,其特征在于,該裝置包括處理液供給機構,該處理液供給機構配置在所述搬送路徑的上方位置處,向搬送中的基板供給處理液,所述處理液供給機構至少具有第一處理液供給機構和第二處理液供給機構,所述第一、第二處理液供給機構分別具有向所述搬送路徑的寬度方向呈簾狀噴出處理液的細長的第一、第二噴出口。
根據(jù)該結構,從細長的第一、第二噴出口分別向基板的寬度方向上的表面呈簾狀均勻的供給處理液。還有,在一個處理液噴出口被異物堵塞等的情況下,即使在處理液簾的對應部位產(chǎn)生割裂,但是由于在另一個處理液簾的相同部位產(chǎn)生割裂的可能性極低,因此能夠顯著降低在基板表面處理液供給不均的產(chǎn)生概率,且由于處理液的供給量增大而提高了處理液的置換性能以及置換品質(zhì)。
本實用新型的第二方案是如第一方案所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二噴出口朝向基板搬送方向。根據(jù)該結構,處理液落到基板上之后,會沿搬送方向流動,因此能夠抑制搬送方向更下游側(cè)的處理液逆流到上游側(cè)的情況,所以適合進行處理液的置換。
本實用新型的第三方案是如第一方案所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構在上下方向上具有層疊結構,且一體構成。根據(jù)該結構,僅通過調(diào)整一個處理供給機構的位置或角度就能夠同時設定第一、第二處理液供給機構,因此調(diào)整等操作變得容易。
本實用新型的第四方案是如第三方案所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構由三個構件在上下方向上層疊成一體而構成,其中該三個構件形狀相同,且具有在所述寬度方向上細長的長方體形狀,并且相互相鄰的構件在相對置的部位、且在相互錯開的位置處分別具有作為內(nèi)部空間的處理液存積部,并且分別具有從各處理液存積部延伸到搬送方向下游側(cè)的噴出口處的噴出路徑。根據(jù)該結構,在三個構件中,在相互相鄰的構件上,在相對置的部位且相互錯開的位置處分別形成有作為內(nèi)部空間的處理液存積部,各處理液從各自的處理液存積部經(jīng)噴出路徑導入到噴出口,并從噴出口噴出。
本實用新型的第五方案是如第四方案所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構分別具有自所述各處理液存積部穿設到所述構件上表面的處理液注入路徑。根據(jù)該結構,各處理液從所述第一、第二處理液供給機構的上方,經(jīng)各自的處理液注入路徑輸送到所對應的處理液存積部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大日本網(wǎng)目版制造株式會社,未經(jīng)大日本網(wǎng)目版制造株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720139676.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:電纜尋蹤識別儀
- 下一篇:電子裝置殼體的扣合結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





