[實用新型]基板處理裝置無效
| 申請號: | 200720139676.4 | 申請日: | 2007-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN201044235Y | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發明(設計)人: | 富藤幸雄 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王玉雙 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其在處理槽內對在搬送路徑上搬送的基板供給處理液,從而進行給定的處理,其特征在于,該裝置包括處理液供給機構,該處理液供給機構配置在所述搬送路徑的上方位置處,向搬送中的基板供給處理液,所述處理液供給機構至少具有第一處理液供給機構和第二處理液供給機構,所述第一、第二處理液供給機構分別具有向所述搬送路徑的寬度方向呈簾狀噴出處理液的細長的第一、第二噴出口。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二噴出口朝向基板搬送方向。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構在上下方向上具有層疊結構,且一體構成。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構由三個構件在上下方向上層疊成一體而構成,其中該三個構件形狀相同,且具有在所述寬度方向上細長的長方體形狀,并且相互相鄰的構件在相對置的部位、且在相互錯開的位置處分別具有作為內部空間的處理液存積部,并且分別具有從各處理液存積部延伸到搬送方向下游側的噴出口處的噴出路徑。
5.如權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構分別具有自所述各處理液存積部穿設到所述構件上表面的處理液注入路徑。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述第一、第二處理液供給機構的第一、第二噴出口相對水平方向傾斜約20°。
7.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,具有調節構件,該調節構件在上下方向上調節所述第一、第二處理液供給機構的位置。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,通過所述調節構件對所述第一、第二處理液供給機構的高度進行調整,使得來自所述第一、第二噴出口的噴出液在搬送路徑上的搬送方向上落到大致相同的位置上。
9.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,所述處理槽具有接收所述基板的入口開口,所述處理液供給機構位于所述處理槽內,配置于所述入口開口附近。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





