[實用新型]光掩模充氣柜結構

無效

• 申請號: 200720127316.2
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN201134421Y
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 廖莉雯
• 申請（專利權）人: 廖莉雯
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/677;G03F1/00;G03F7/20;B65D81/18
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本實用新型涉及一種用于保持光掩模儲存潔凈度的技術領域，特別是涉及一種可長時間維持與光掩模相鄰空間環境的光掩模充氣柜結構，借以進一步增進晶圓制造良率。

背景技術

受到電子產品不斷朝向輕薄短小、高頻、高效能等特性發展的影響，用于電子產品中的核心晶片就必需更進一步的微小化與高效能化，而欲使晶片微小化與具高效能則需使晶片上的集成電路線徑微細化，以容入更多的集成電路及元件，因此現有的集成電路線徑已由早期的0.25微米往90～45納米等工藝發展，而晶片上集成電路線徑微細化的成敗關鍵，主要是在于半導體工藝中的黃光微影工藝技術，而其關鍵設備是在掃描步進機(Scanner)與光掩模(Reticle)的使用；

但目前光掩模于制作、清洗、操作與儲存、運輸的過程中，不論是置于容置光掩模的移轉容器或無塵室的環境中，均存在有不少的微粒、水氣、氣體、化學溶劑分子等有害物質，這些有害物質會附著于光掩模表面，且在經長時間儲存或晶圓曝光工藝的加熱后，會于光掩模表面產生微粒附著、結晶、又或霧化等現象，而直接影響到光掩模于黃光微影工藝中的透光率，進而使光掩模上的圖形失真，其會造成晶圓良率降低，且增加清理與改善的時間，造成生產量降低，相對上也會提高營運的成本；

因此，為了解決這個問題，業界開發有如美國專利第US?4,532,970號與美國專利第US?4,534,389號的晶圓、光置密閉移轉系統，以確保周圓環境的微粒不致進入緊鄰光掩模與晶圓的環境中。但以其中光掩模為例，造成光掩模污損的原因除了微粒外，更進一步包含環境中的水氣、有毒氣體、塑膠制移載容器所釋出的硫化物和制作光掩模工藝中殘留或是光掩模上圖形材質本身釋出的氨(NH₄)、以及光掩模清洗過程中殘留的化學分子等有害物質，以結晶為例，其化學式為(NH₄)₂SO₄，此一結晶物由前述不同原因釋出的氨(NH₄)及硫酸根離子(SO₄)經高能量光源與環境水氣等化合而成，因此經常發生光掩模于清洗后，再經一段時間的儲存后，只要一經黃光微影工藝中的紫外線照射曝光就會產生結晶的現象；

而造成此一問題的主要原因來自于儲存容器的氣密性不足，使移載容器外的環境空氣中的微粒、水分子不斷的滲入，進而提供其化學反應所需的元素。再者該移載容器主要以塑膠制成，塑膠材料會不斷的釋出硫化物等有害物質，且外部氣體會滲透進入光掩模，和光掩模圖形材質本身或是移載容器內氨氣產生反應，造成有害物質附著于光掩模正反兩面與光掩模護膜表面。又光掩模護膜主要以鋁框為主，其需進行鋁合金的硫酸陽極處理，使鋁框表面產生硫酸根離子殘留的問題。

故為了解決這些問題，業界開發有于光掩模的移載容器內加設不銹鋼內罩，以吸收硫化物，并于移載容器上加裝充、填氣結構，用以將干凈的惰性氣體注入該移載容器內，以擠出移載容器內的有害氣體，同時進一步提升該移載容器的氣密性，以防止外部微粒進入、且防止干凈的惰性氣體流失，如中國臺灣專利公告第223680號及第I262164號等，其均在通過該移載容器結構的改變，來提高移載容器的氣密性；

但于結構上進行氣密性的改良是一項重大的工程，不僅需要增加開發、制模與組裝的成本，且受到材質、蓋合力量與蓋合接觸面積等因素的影響，移載容器并無法達到完全氣密的效果，因此移載容器內的氣體仍然會漸漸向外流失，由于微粒與水分子極小，因此移載容器在經長時間儲存后，外部環境中如微粒與水分子等有害物質仍會漸漸滲入該移載容器內部，而失去維持光掩模潔凈度的作用。再者移載容器因其材質中存在有部份的有害物質，其會不斷的釋出，一但時間較久之后，這些有害物質會影響到移載容器內部的光掩模，其一樣會造成光掩模與光掩模護膜的污損、霧化與結晶等，進一步影響到后續晶圓加工的良率、產量與成本。