[實(shí)用新型]載盤的改良結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200720125504.1 | 申請日: | 2007-08-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201142322Y | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉相賢;劉奎江;劉聰?shù)?/a>;江豐全 | 申請(專利權(quán))人: | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 陳肖梅;謝麗娜 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改良 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種載盤的改良結(jié)構(gòu),特別是有關(guān)于一種適用于晶圓制程,具有操作維護(hù)簡易、低成本、以及晶圓高冷卻效率的載盤的改良結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
一般而言,半導(dǎo)體制程如沉積或蝕刻等制程常造成晶圓處于高溫狀態(tài),故晶圓散熱為晶圓載盤設(shè)計(jì)的重要考慮因素之一。如圖1所示的現(xiàn)有晶圓載盤10,其中包括上蓋11、導(dǎo)熱層12、封板13、真空隔熱件14、冷卻回路15、以及多個(gè)冷卻管路16。冷卻回路15設(shè)置于封板13與真空隔熱件14所圍成的封閉空間內(nèi),冷卻流體(圖式未顯示)經(jīng)由多個(gè)冷卻管路16以連接冷卻回路15達(dá)到一連續(xù)冷卻流的效果。真空隔熱件14包括一真空隔熱區(qū)141,此真空隔熱區(qū)141借助多個(gè)接頭142(圖式僅顯示一接頭)以抽取真空隔熱區(qū)141內(nèi)的空氣,以達(dá)到隔熱以加強(qiáng)晶圓A的冷卻效果。然而,此裝置的設(shè)置與操作十分繁瑣,例如多個(gè)冷卻管路16需外接冷卻流體的饋送裝置外,還需配置抽氣機(jī)以控制真空隔熱區(qū)141內(nèi)中空氣密度。此外,導(dǎo)熱層12也會(huì)隨著熱漲冷縮的次數(shù)增加而降低熱傳導(dǎo)效果,導(dǎo)致增加維護(hù)成本、降低冷卻效率、與可能的操作失誤。
因此,提供一操作維護(hù)簡易、低成本、以及晶圓高冷卻效率的載盤,便成為晶圓制程的重要課題之一。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷,提出一種載盤的改良結(jié)構(gòu),特別是一種適用于晶圓制程,具有操作維護(hù)簡易、低成本、以及晶圓高冷卻效率的載盤的改良結(jié)構(gòu)。
為達(dá)上述目的,本實(shí)用新型提供一種載盤的改良結(jié)構(gòu),包括:一上蓋,具有一內(nèi)凹區(qū)與一螺旋狀凸肋組,該螺旋狀凸肋組設(shè)置于該內(nèi)凹區(qū)中;一下蓋,具有一頂面與一側(cè)面,該頂面連接于該螺旋狀凸肋組的多個(gè)凸肋頂部,而該側(cè)面連接于該內(nèi)凹區(qū)的一側(cè)壁;一冷卻流道,設(shè)置于該內(nèi)凹區(qū)、該螺旋狀凸肋組、與該頂面所圍成的封閉空間中;以及多個(gè)流道出入口,連接于該冷卻流道,而其中一冷卻流體經(jīng)由所述的流道出入口進(jìn)出該冷卻流道,以形成一連續(xù)冷卻流。
本實(shí)用新型具有以下有益技術(shù)效果:本實(shí)用新型適用于晶圓制程,具有操作維護(hù)簡易、低成本、以及晶圓高冷卻效率的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)用新型中所敘述的載盤的改良結(jié)構(gòu),可用于晶圓沉積與蝕刻等制程中。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有載盤示意圖;
圖2A為載盤的改良結(jié)構(gòu)的剖面圖;
圖2B為上蓋示意圖。
圖中符號(hào)說明
10??現(xiàn)有晶圓載盤?????11???上蓋
12??導(dǎo)熱層???????????13???封板
14??真空隔熱件???????141??真空隔熱區(qū)
142?多個(gè)接頭?????????15???冷卻回路
16??多個(gè)冷卻管路?????A????晶圓
20??載盤?????????????21???上蓋
211?內(nèi)凹區(qū)???????????2111?側(cè)壁
212?螺旋狀凸肋組?????2121?多個(gè)凸肋頂部
22??下蓋?????????????221?頂面
222?側(cè)面?????????????223?多個(gè)螺絲孔
23??冷卻流道?????????24??多個(gè)流道出口。
具體實(shí)施方式
以下以具體的實(shí)施例,對本實(shí)用新型揭示的各形態(tài)內(nèi)容加以詳細(xì)說明。
參照圖2A,圖2A為根據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種載盤的改良結(jié)構(gòu)的剖面示意圖,其中包括一載盤20,此載盤20包括一上蓋21、一下蓋22、一冷卻流道23、以及多個(gè)流道出口24。上蓋21具有一內(nèi)凹區(qū)211與一螺旋狀凸肋組212(參考圖2B,其中螺旋狀凸肋組212環(huán)繞于內(nèi)凹區(qū)211內(nèi)成一環(huán)狀螺旋狀的幾何外形)。下蓋22具有一頂面221與一側(cè)面222,此頂面221連接于螺旋狀凸肋組212的多個(gè)凸肋頂部2121,而側(cè)面222連接于內(nèi)凹區(qū)211的一側(cè)壁2111。冷卻流道23設(shè)置于內(nèi)凹區(qū)211、螺旋狀凸肋組212、與頂面221所圍成的封閉空間中。多個(gè)流道出入口24,連接于冷卻流道23,而其中一冷卻流體(圖式未顯示)經(jīng)由多個(gè)流道出入口24進(jìn)出冷卻流道23以形成一連續(xù)冷卻流。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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