[實(shí)用新型]載盤(pán)的改良結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200720125504.1 | 申請(qǐng)日: | 2007-08-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201142322Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉相賢;劉奎江;劉聰?shù)?/a>;江豐全 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 陳肖梅;謝麗娜 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改良 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種載盤(pán)的改良結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一上蓋,具有一內(nèi)凹區(qū)與一螺旋狀凸肋組,該螺旋狀凸肋組設(shè)置于該內(nèi)凹區(qū)中;
一下蓋,具有一頂面與一側(cè)面,該頂面連接于該螺旋狀凸肋組的多個(gè)凸肋頂部,而該側(cè)面連接于該內(nèi)凹區(qū)的一側(cè)壁;
一冷卻流道,設(shè)置于該內(nèi)凹區(qū)、該螺旋狀凸肋組、與該頂面所圍成的封閉空間中;以及
多個(gè)流道出入口,連接于該冷卻流道,而其中一冷卻流體經(jīng)由所述的流道出入口進(jìn)出該冷卻流道,以形成一連續(xù)冷卻流。
2.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該下蓋為鋁合金或不銹鋼所制成。
3.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該上蓋為鋁合金或不銹鋼所制成。
4.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該頂面熱連接于所述的凸肋頂部。
5.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該側(cè)面具有一密封層,而該密封層設(shè)置于該側(cè)面與該內(nèi)凹區(qū)之間。
6.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該冷卻流體為去離子水或具冷卻效果的流體。
7.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的流道出入口連接于該下蓋。
8.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該載盤(pán)上承載一晶圓,而該冷卻流體冷卻該晶圓。
9.如權(quán)利要求1所述的載盤(pán)改良結(jié)構(gòu),其特征在于,該螺旋狀凸肋組具有螺旋狀的幾何外形。
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H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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