[實(shí)用新型]改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200720121549.1
• 申請(qǐng)日: 2007-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201066689Y
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許耀宗;余其俊;張孝嚴(yán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞高埗佰鴻電子廠
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L25/075
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所
• 代理人: 胡吉科

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，尤其是一種以藍(lán)寶石(Al₂O₃)基板作為冷區(qū)的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。

技術(shù)背景

發(fā)光熱電效應(yīng)芯片工作時(shí)總是伴隨著熱量的產(chǎn)生，發(fā)光區(qū)的溫度過(guò)高時(shí)，不僅會(huì)影響其工作，還會(huì)降低發(fā)光二極管(LED)的壽命，進(jìn)而影響到整個(gè)芯片。為此，現(xiàn)有致冷技術(shù)如圖1中普遍采用將單個(gè)LED串接在一起，再在其下設(shè)置一片致冷晶片，使LED及陶瓷基板A作為冷區(qū)，陶瓷基板B作為熱區(qū)的技術(shù)方案。這種技術(shù)方案的缺點(diǎn)是：致冷晶片需額外電源提供，因此較無(wú)致冷晶片之使用耗電.

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、不需要外加配有額外電源的致冷晶片、可實(shí)現(xiàn)模塊化生產(chǎn)的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，包括陶瓷基底和由藍(lán)寶石(Al₂O₃)基板、N型接觸層、P型接觸層、發(fā)光層以及P型電極和N型電極組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，其特征在于：所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片包含若干個(gè)標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，該熱電效應(yīng)芯片以陶瓷基底作為熱區(qū)，Al₂O₃基板作為冷區(qū)，Al₂O₃基板將各LED芯片單元的N型接觸層連接在一起，陶瓷基底連接導(dǎo)電金屬板，導(dǎo)電金屬板將前一LED芯片單元的N型電極和后一LED芯片單元的P型電極連接在一起，從而將各LED芯片單元串接在一起，并由P型焊墊和N型焊墊封閉構(gòu)成整個(gè)所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。所述的P型焊墊從Al₂O₃基板延伸至導(dǎo)電金屬板，N型焊墊從Al₂O₃基板延伸至N型接觸層。

本實(shí)用新型去掉了現(xiàn)有技術(shù)中的作為冷區(qū)的陶瓷基底，代之直接以Al₂O₃基板作為冷區(qū)，從而節(jié)省了材料，降低了成本，并且不需要外加配有額外電源的致冷晶片來(lái)致冷；本實(shí)用新型的LED芯片單元采用共同的Al₂O₃基板，即通過(guò)Al₂O₃基板將各LED芯片單元的N型接觸層連接在一起，相連的LED芯片單元的N電極和P電極則由導(dǎo)電金屬板連接，從而將各LED芯片單元串接在一起，而傳統(tǒng)發(fā)光熱電效應(yīng)芯片的內(nèi)部采用單個(gè)的獨(dú)立LED芯片，因此本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)模塊化生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)熱電效應(yīng)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為標(biāo)準(zhǔn)LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1為陶瓷基底，2為Al₂O₃基板，3為P型焊墊，4為N型焊墊，5為N型接觸層，6為發(fā)光層，7為P型接觸層，8為P型電極，9為導(dǎo)電金屬板，10為N型接觸層。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例中，參照?qǐng)D2和圖3，所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，包括陶瓷基底1和由藍(lán)寶石(Al₂O₃)基板2、N型接觸層5、P型接觸層7、發(fā)光層6以及P型電極8和N型電極10組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元。所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片包含若干個(gè)標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，該熱電效應(yīng)芯片以陶瓷基底1作為熱區(qū)，Al₂O₃基板2作為冷區(qū)，Al₂O₃基板2將各LED芯片單元的N型接觸層5連接在一起，陶瓷基底1連接導(dǎo)電金屬板9，導(dǎo)電金屬板9將前一LED芯片單元的N型電極10和后一LED芯片單元的P型電極8連接在一起，從而將各LED芯片單元串接在一起，并由P型焊墊3和N型焊墊4封閉構(gòu)成整個(gè)所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。其中，P型焊墊3從Al₂O₃基板2延伸至導(dǎo)電金屬板9，N型焊墊4從Al₂O₃基板2延伸至N型接觸層10。陶瓷基底熱區(qū)在芯片封裝時(shí)連接到散熱片，LED發(fā)光所產(chǎn)生的熱量傳遞到陶瓷基底和散熱片發(fā)散。