[實用新型]承載盤有效
| 申請號: | 200720092222.6 | 申請日: | 2007-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN201112364Y | 公開(公告)日: | 2008-09-10 |
| 發明(設計)人: | 蔡鳴 | 申請(專利權)人: | 鄭州華碩精密陶瓷有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 鄭州異開專利事務所 | 代理人: | 韓華 |
| 地址: | 450007河南省鄭*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 | ||
技術領域
本實用新型涉及用于大規模集成電路生產過程中的承載盤。
背景技術
目前,用于大規模集成電路生產過程中的承載盤多為實體結構,因此在使用過程中盤體透氣性差,在承載集成電路芯片過程中,使得芯片上的溢膠及所散發出的氣體滯留在承載盤面上,直接影響了大規模集成電路的生產效率和產品質量。
實用新型內容
本實用新型目的在于提供一種可提高大規模集成電路生產效率的承載盤。
為實現上述目的,本實用新型可采取下述技術方案:
本實用新型所述的承載盤,它包括圓盤體,沿軸向開設在所述圓盤體外周面上的V形槽,所述圓盤體由碳化硅陶瓷材料制成;在圓盤體的盤面上沿軸向貫穿盤面開設有多個微孔;所述微孔的孔徑≤0.02mm,孔隙率≥30%。
本實用新型由于在所述圓盤體的盤面上沿軸向貫穿盤面開設有孔徑≤0.02mm的多個微孔,其微孔的孔隙率≥30%,因此,與現有的承載盤對比,其優點主要體現在以下幾點:
1、流體阻力小,可自由通過各種氣體或液體;
2、孔密度高,比表面積大,可起到過濾凈化作用;
3、耐高溫,熱膨脹系數小,優良好的蓄熱功能;
4、具有更好的抗酸堿腐蝕能力。
由于所具有的上述優點,從而達到提高大規模集成電路生產效率和生產規模目的。
附圖說明
圖1是本實用新型的主視圖。
圖2是圖1的A部放大視圖。
具體實施方式
如圖所示,本實用新型所述的承載盤,它包括圓盤體1,沿軸向開設在所述圓盤體1外周面上的V形槽2,所述圓盤體1由碳化硅陶瓷材料制成;在圓盤體1的盤面上沿軸向貫穿盤面開設有多個微孔3;所述微孔3的孔徑≤0.02mm,孔隙率≥30%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





