[實用新型]一種帶有缺陷地結構的強耦合器無效
| 申請號: | 200720077424.3 | 申請日: | 2007-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN201134494Y | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 梁文超;熊明;羅慶 | 申請(專利權)人: | 奧雷通光通訊設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/18 | 分類號: | H01P5/18 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產權代理有限公司 | 代理人: | 趙繼明 |
| 地址: | 200335上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶有 缺陷 結構 耦合器 | ||
技術領域
本實用新型涉及強耦合器,特別涉及一種帶有缺陷地結構的強耦合器。
背景技術
隨著無線通信技術的迅速發展,要求產品小型化,低成本,低損耗。而傳統微波電路設計,往往局限于電路板表面的元件分布和設計,忽略了電路板的背面-金屬接地板的開發和利用。由此在研究光子帶隙(PBG)結構基礎上提出了缺陷地結構(DGS),DGS是通過在接地板上刻蝕缺陷圖形而成,這種結構會擾亂接地板上的屏蔽電流分布,而擾亂的屏蔽電流分布又會改變傳輸線的特性,如有效電感和有效電容。
在傳統帶狀線耦合器設計中,針對強耦合度,高方向性耦合器設計需要大的空間,這樣提高了成本,而在有限可用的系統設備空間中需要是不允許的,如果采用減小耦合器副線的有效耦合長度拉近耦合器主副線間距,在實際PCB加工中精度難以保證,產品一致性差。以10dB強耦合器主副線邊邊耦合間距為例,如果副線采用八分之波長(介質波長)甚至更短,則主副線距離需要在0.1mm甚至更小,這在實際加工中間隙公差難以保證,使得產品一致性差,而且由于間隙太小,實際調試難度也很大,所以在現有強耦合器實現中實現結構尺寸比較大,不夠緊湊。
發明內容
本實用新型的目的就是為了克服上述現有技術存在的缺陷而提供一種耦合結構更為緊湊的帶有缺陷地結構的強耦合器。
本實用新型的目的可以通過以下技術方案來實現:一種帶有缺陷地結構的強耦合器,包括腔體、蓋板、大功率匹配負載、帶狀線耦合器板、連接器,所述的蓋板設在腔體上部,所述的帶狀線耦合器板設在腔體內,所述的連接器設在腔體側面,其特征在于,所述的帶狀線耦合器板包括上下兩塊,所述的大功率匹配負載設在帶狀線耦合器板下面一塊,所述的帶狀線耦合器板上面一塊上表面設有缺陷地結構,所述的腔體內壁底面設有缺陷地槽結構。
所述的缺陷地結構的形狀包括方形、矩形、圓形、三角形、周期性方形、周期性矩形、周期性圓形、周期性三角形。
所述的缺陷地槽結構的形狀包括跑道形。
所述的缺陷地槽結構深為帶狀線厚的3倍。
所述的帶狀線耦合器板上面一塊到蓋板的高度為帶狀線厚度的3倍。
與現有技術相比,本實用新型具有使耦合結構可以更為緊湊,并提高耦合器的方向性等優點。
附圖說明
圖1為本實用新型一種帶有缺陷地結構的強耦合器的結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示,一種帶有缺陷地結構的強耦合器包括腔體1,蓋板2,終端50Ω大功率匹配負載3,帶狀線耦合器板4(分為上下兩塊,便于實際調試),連接器5,在帶狀線耦合器主副線背面接地面刻蝕成一特定形狀形成缺陷地結構。在腔體相應內壁底面開一特定形狀的槽,槽深一般為帶狀線厚度的3倍以上,帶狀線耦合器板上方留至少3倍帶狀線厚度的空間。
上述在帶狀線上刻蝕成的特定形狀可以是方形,矩形,圓形,三角形或周期性方形,周期性矩形,周期性圓形,周期性三角形等形狀
上述在腔體內壁底部開槽形狀為加工方便一般為規則形狀,如跑道形形狀。
在耦合器中運用缺陷地結構使得耦合結構更為緊湊,適當拉遠在強耦合中(如10dB耦合)主副線的間距。在有限同樣空間中主副線間距可以拉遠,比如不采用缺陷地結構時用八分之波長邊邊耦合時間距需要在0.1mm甚至0.05mm,這在實際制板時精度難以保證,而采用了缺陷地這種新型設計結構時主副線間距可以變寬到0.3mm以上。這樣使得在有限空間中實現強耦合變成現實。另外由于缺陷地結構(DGS)是通過在接地板上刻蝕缺陷圖形而成,這種結構會擾亂接地板上的屏蔽電流分布,而擾亂的屏蔽電流分布又會改變傳輸線的特性,如有效電感和有效電容。通過這種有效電感和有效電容可以提高耦合器的方向性,實現高方向性,尤其是利用周期性規則形狀形成的缺陷地結構對改善方向性更為有效。
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