[實用新型]一種帶有缺陷地結構的強耦合器

無效

• 申請號: 200720077424.3
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN201134494Y
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 梁文超;熊明;羅慶
• 申請（專利權）人: 奧雷通光通訊設備(上海)有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙繼明

1.一種帶有缺陷地結構的強耦合器，包括腔體、蓋板、大功率匹配負載、帶狀線耦合器板、連接器，所述的蓋板設在腔體上部，所述的帶狀線耦合器板設在腔體內，所述的連接器設在腔體側面，其特征在于，所述的帶狀線耦合器板包括上下兩塊，所述的大功率匹配負載設在帶狀線耦合器板下面一塊，所述的帶狀線耦合器板上面一塊上表面設有缺陷地結構，所述的腔體內壁底面設有缺陷地槽結構。

2.根據權利要求1所述的一種帶有缺陷地結構的強耦合器，其特征在于，所述的缺陷地結構的形狀包括方形、矩形、圓形、三角形、周期性方形、周期性矩形、周期性圓形、周期性三角形。

3.根據權利要求1所述的一種帶有缺陷地結構的強耦合器，其特征在于，所述的缺陷地槽結構的形狀包括跑道形。

4.根據權利要求1所述的一種帶有缺陷地結構的強耦合器，其特征在于，所述的缺陷地槽結構深為帶狀線厚的3倍。

5.根據權利要求1所述的一種帶有缺陷地結構的強耦合器，其特征在于，所述的帶狀線耦合器板上面一塊到蓋板的高度為帶狀線厚度的3倍。