[實用新型]電路修改制作結構

無效

• 申請號: 200720075051.6
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN201112374Y
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發明（設計）人: 陳進來
• 申請（專利權）人: 宜碩科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/288;H01L23/532;H01L23/482
• 代理公司: 北京中北知識產權代理有限公司
• 代理人: 段秋玲

技術領域

本實用新型涉及一種電路修改制作結構，尤其是指一種于基材上形成導電橋墩〔pier〕，再于導電橋墩間設有相連接呈導電橋〔floorof?a?bridge〕之導電黏稠材料，即可獲得經濟實用且低電阻的電路修改制作結構。

背景技術

如圖7～10所示，一般欲于集成電路(41)上進行修改制作電路，主要系利用聚焦離子束(42)〔FIB?〕或雷射于集成電路(41)上，對應所選取之電極(43)挖開半導體制程各層材料(44)〔如：導電層、半導體層、絕緣層……等〕，以形成接觸孔洞(45)露出該選取之電極(43)，藉由聚焦離子束(42)或雷射配合噴嘴(421)所噴出之氣體分子以于該接觸孔洞(45)內沉積導電體形成導電橋墩(46)，或先行于接觸孔洞(45)內緣沉積絕緣部(47)，再于絕緣部(47)內沉積導電體形成導電橋墩(46)，最后藉由聚焦離子束(42)或雷射配合噴嘴(421)所噴出之氣體分子以于該接觸孔洞(45)之導電橋墩(46)間以沉積導電體相連接形成導電橋面(48)；其存在一大問題即是電阻值很大，尤其是欲相連接的兩個目標電極愈遠，則沉積導電體形成之導電橋面連接愈長，電阻愈大，故近年來陸續有人發表降低電阻的技術及專利。

查閱先前技術，Van?Doorselaer等人發表于20th?InternationalSymposium?for?Testing?and?Failure?Analysis〔1994年11月13-18，第397-405頁〕，論文名稱為“How?to?Use?Cu-Plating?for?Low?OhmicLong-Distance?FIB?Connections”所提到使用電鍍銅結合伴隨化學氣相沉積的聚焦離子束可得到低阻值導線，而一般伴隨化學氣相沉積的聚焦離子束所得到導線之阻值都較高，亦即在導線鍍銅可降低其阻值。

檢索美國專利第5,429,994號專利中提到使用伴隨化學氣相沉積的聚焦離子束來作聯機，接著使用無電鍍法在聯機上沉積額外的導電材質來得到較低之電阻。

檢索美國專利第6692995號專利中提到濺鍍或蒸鍍導體來作聯機得到較低之電阻。

檢索中國臺灣專利第86110359號專利，使用一透明光罩，并于其上濺鍍或蒸鍍導體來形成低阻值的長導線以達到修改制作電路的功能。

然而，上述各方式雖可達到降低阻值之預期功效，但于其實際施行使用上卻發現，上述方式成形過程皆復雜緩慢、需花費較長的時間，而且制程較不穩定，容易造成對芯片上既有的線路、組件的損傷，實用價值性不高，且更需花費極高的成本支出，致令其仍具有急待改進之空間。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是要提供一種新的、簡便的電路修改制作結構，可以降低阻值、制作成本及離子轟擊傷害，而更具實用功效。

為了解決上述技術問題，本實用新型的電路修改制作結構包括在基材上對應所選取各電極形成之各接觸孔洞內分別沉積形成導電橋墩，于該導電橋墩上利用導電黏稠材料連接形成導電橋面。

在所述的基材各接觸孔洞內之導電橋墩一側還可以另行延伸有與該導電橋墩為同樣導電材質之導電橋墩延伸段。

在所述的基材各接觸孔洞內緣可以先行沉積設置有絕緣材質的絕緣部，再于絕緣部內沉積設置有導電材質的導電橋墩。

所述的基材可以為集成電路(IC)；所述的導電黏稠材料可以為導電膠；在所述的導電黏稠材料下可放置有絕緣材料；在所述的導電黏稠材料下放置之絕緣材料可以為絕緣膠，也可以為二氧化硅(SiO₂)。

本實用新型的電路修改制作結構，主要用于一內包含有復數個電極之基材(例如：集成電路)上，對應所選取之電極挖開半導體制程各層材料形成接觸孔洞，于該接觸孔洞形成導電橋墩，再于各導電橋墩之上利用該導電黏稠材料于導電橋墩之間形成導電橋面(floor?of?abridge)，即形成導通之導電橋；這樣本實用新型提供集成電路設計者直接對集成電路進行電路修改制作，并可降低阻值、制作成本、作法簡便(不用抽真空濺鍍或蒸鍍，也不用泡電鍍液)及降低離子轟擊傷害，從而更具實用功效。

附圖說明

圖1本實用新型電路修改制作結構制作過程(一)的剖面結構示意圖；

圖2本實用新型電路修改制作結構制作過程(二)的剖面結構示意圖；

圖3本實用新型電路修改制作結構的剖面結構示意圖；

圖4本實用新型設置有導電橋墩延伸段的電路修改制作結構的剖面結構示意圖(一)；