[實用新型]一種化學氣相沉積設備

無效

• 申請號: 200720067980.2
• 申請日: 2007-03-20
• 公開（公告）號: CN201049963Y
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 張文鋒;馬峰;徐亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C30B25/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術領域

本實用新型涉及半導體制程中的設備，尤其涉及一種化學氣相沉積設備。

背景技術

化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶圓表面上。

實際上，反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，其中，沉積速率就是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產出量，沉積速率與氣流速率有很大關系。

請參閱圖1，現有技術的CVD設備一般包括：形成真空的反應室1，設置在該反應室1底部的底座2，設置在反應室1上方且用于向反應室1內提供反應氣體的若干入口3，設置在反應室1內的用于承載晶圓的基座4，設置在反應室1兩側的用于排出廢氣的出口5。

在化學氣相沉積的制程中，由于反應室1的側壁和底座2接觸不緊密，反應室1中產生的廢氣也會通過接觸不緊密的間隙排出，這樣就會導致反應室1中的氣流速率不能很準確地控制，不能精確控制反應室1的沉積速率，從而導致晶圓沉積的厚度不能很精確地達到預計。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種新的化學氣相沉積設備，其可以更精確地控制氣流流動速率。

為實現上述目的，本實用新型提供一種化學氣相沉積設備，其包括形成真空的反應室，設置在該反應室底部的底座，設置在反應室上方且用于向反應室內提供反應氣體的若干入口，設置在反應室內的用于承載晶圓的基座，設置在反應室兩側的用于排出廢氣的出口；其中，反應室的側壁和反應室的底部之間沒有間隙，從而保證該反應室的廢氣只從出口流出。

本實用新型還包括一個隔板，該隔板設置在底座上，并且緊靠反應室的側壁上，從而將反應室側壁和底座之間的間隙完全遮蔽。

所述隔板的材質是采用耐高溫且不會與反應室中反應氣體發生反應。

所述隔板的材質是特氟隆(Teflon)。

與現有技術相比，本實用新型反應室的側壁和反應室的底部之間沒有間隙，以保證反應室的廢氣僅從出口流出，以便精確控制反應室內的氣流速率，保護反應氣氛，根據氣流速率可以很好地控制沉積速率，從而提高反應室的氣體沉積均勻度和相對厚度。

附圖說明

通過以下對本實用新型一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其實用新型的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為：

圖1為現有技術中化學氣相沉積設備的結構示意圖；

圖2是本實用新型中化學氣相沉積設備的結構示意圖。

具體實施方式

請參閱圖2，本實用新型化學氣相沉積設備包括形成真空的反應室1，設置在該反應室1底部的底座2，設置在反應室1上方且用于向反應室1內提供反應氣體的若干入口3，設置在反應室1內的用于承載晶圓的基座4，設置在反應室1兩側壁的用于排出廢氣的出口5。底座2上還設有兩個隔板7，該隔板7分別設置在反應室1外部，并緊靠反應室1的兩個側壁。

隔板7可以粘合在底座2上，并且緊靠反應室1的側壁上，從而將反應室1側壁和底座2之間的間隙完全遮蔽。該隔板7的材質是特氟隆(Teflon)，也可以采用耐高溫，且不會與反應室1中反應氣體發生反應。

隔板7可以粘合到底座2及側壁上，也可以通過其他方式固定，只要保證反應室1側壁和底座2之間的間隙完全遮蔽。

在本實用新型的其他實施例中，也可以不采用隔板，也可以將反應室1和底座2設置為一個整體，從而保證該反應室1的廢氣只從出口5流出，反應室1除了入口3和出口5之外，與外界無間隙存在。所以，反應室1內的氣流速率可以精確控制，從而提高反應室1的氣體沉積均勻度和相對厚度。