[實用新型]一種化學氣相沉積設備無效
| 申請號： | 200720067980.2 | 申請日： | 2007-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN201049963Y | 公開（公告）日： | 2008-04-23 |
| 發明（設計）人： | 張文鋒;馬峰;徐亮 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/00 | 分類號： | C23C16/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化學 沉積 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種化學氣相沉積設備，其包括形成真空的反應室，設置在該反應室底部的底座，設置在反應室上方且用于向反應室內提供反應氣體的若干入口，設置在反應室內的用于承載晶圓的基座，設置在反應室兩側的用于排出廢氣的出口；其特征在于：反應室的側壁和反應室的底部之間沒有間隙，從而保證該反應室的廢氣只從出口流出。
2.如權利要求1所述的一種化學氣相沉積設備，其特征在于：所述設備還包括一個隔板，該隔板設置在底座上，并且緊靠反應室的側壁上，從而將反應室側壁和底座之間的間隙完全遮蔽。
3.如權利要求1所述的一種化學氣相沉積設備，其特征在于：所述隔板的材質是采用耐高溫且不會與反應室中反應氣體發生反應。
4.如權利要求3所述的一種化學氣相沉積設備，其特征在于：所述隔板的材質是特氟隆。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720067980.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
