[實(shí)用新型]用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積設(shè)備真空系統(tǒng)的快卸冷阱無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200720063948.7 | 申請(qǐng)日: | 2007-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201065431Y | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李學(xué)文;胡曉宇;王慧勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C16/00 | 分類號(hào): | C23C16/00;C23C16/18;H01L21/365;C30B25/02 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人: | 馬強(qiáng) |
| 地址: | 410111湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 金屬 有機(jī)物 化學(xué) 氣相淀積 設(shè)備 真空 系統(tǒng) 快卸冷阱 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)設(shè)備真空系統(tǒng),進(jìn)一步是指所述真空系統(tǒng)所采用的快卸冷阱裝置。
背景技術(shù)
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)設(shè)備是目前唯一能用于半導(dǎo)體薄膜材料大批量生產(chǎn)的外延設(shè)備。MOCVD是非平衡態(tài)生長技術(shù),依賴于前體的蒸氣輸運(yùn)和加熱區(qū)中III族和V族化合物的后續(xù)反應(yīng),源材料在離開反應(yīng)器生長區(qū)后將產(chǎn)生很多副產(chǎn)物,這些副產(chǎn)物在真空管道內(nèi)冷卻后將成為粉塵、顆粒,有的將吸附在真空管道、閥門內(nèi)表面,堵塞真空管道、閥門,特別是嚴(yán)重影響閥門的密封性能,有的被吸入真空泵內(nèi),影響泵的使用性能和使用壽命。因此,出現(xiàn)了在真空管道上靠近反應(yīng)器端設(shè)置冷阱的技術(shù)措施,用以阻擋這些粉塵進(jìn)入真空系統(tǒng)。
但是,MOCVD工藝產(chǎn)生的粉塵使得冷阱清洗變得頻繁。常規(guī)冷阱在進(jìn)行清洗時(shí)必須將冷阱拆開,使得真空管路頻繁暴露在大氣中。MOCVD工藝對(duì)大氣中的氧氣及其它微量氣體非常敏感,要求真空管道盡量不暴露在大氣中。再則,工藝中大都涉及有毒有害氣體,冷阱內(nèi)吸附有這些未反應(yīng)完的有毒氣體或其中間產(chǎn)物,在對(duì)常規(guī)冷阱進(jìn)行拆卸清洗過程中將非常危險(xiǎn),容易造成人員或設(shè)備損傷。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提出一種用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積設(shè)備真空系統(tǒng)的快卸冷阱,它在拆下冷阱內(nèi)芯(3)過程中,可保持冷阱始終不與大氣接觸,從而避免真空管路暴露在大氣中。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是,所述用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積設(shè)備真空系統(tǒng)的快卸冷阱有圓筒形冷阱外筒,該冷阱外筒為一夾套結(jié)構(gòu),夾套中是接有進(jìn)水口和出水口的水冷腔,所述冷阱外筒一側(cè)設(shè)有與該冷阱外筒內(nèi)腔連通的排氣口,底部設(shè)有進(jìn)氣口而側(cè)壁開有若干通氣孔的圓筒形冷阱內(nèi)芯裝在所述冷阱外筒中;所述冷阱內(nèi)芯的上端封閉而下端與所述冷阱外筒之間裝有密封圈,該冷阱內(nèi)芯的外側(cè)纏繞有不銹鋼絲網(wǎng);所述冷阱外筒的上端口設(shè)有密封頂蓋且該密封頂蓋置于封閉的手套箱中。
以下對(duì)本實(shí)用新型做出進(jìn)一步說明。
如圖1所示,所述用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積設(shè)備真空系統(tǒng)的快卸冷阱有圓筒形冷阱外筒1,該冷阱外筒1為一夾套結(jié)構(gòu),夾套中是接有進(jìn)水口5和出水口8的水冷腔4,所述冷阱外筒1一側(cè)設(shè)有與該冷阱外筒內(nèi)腔連通的排氣口7,底部設(shè)有進(jìn)氣口6而側(cè)壁開有若干通氣孔17的圓筒形冷阱內(nèi)芯2裝在所述冷阱外筒1中;所述冷阱內(nèi)芯2的上端封閉而下端與所述冷阱外筒之間裝有密封圈16,該冷阱內(nèi)芯2的外側(cè)纏繞有不銹鋼絲網(wǎng)3;所述冷阱外筒1的上端口設(shè)有密封頂蓋11且該密封頂蓋置于封閉的手套箱14中。
參見圖1,所述密封頂蓋11與冷阱外筒1頂部之間設(shè)有雙密封圈160、161且該雙密封圈之間的空腔接有抽氣口15。并且,所述冷阱外筒1與封閉的手套箱14的連接部位設(shè)有密封圈162。
參見圖1,可將所述密封頂蓋11懸掛在球頭桿10下端的球頭上,該球頭桿10裝在球頭壓緊桿12上,而所述球頭壓緊桿12的一端同冷阱外筒1頂部的鉸鏈座13相鉸接而另一端用螺桿9同冷阱外筒1頂部連接,由此組成一種自動(dòng)找正密封頂蓋。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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