[實用新型]低阻單晶壽命測試儀

有效

• 申請號: 200720059959.8
• 申請日: 2007-11-23
• 公開（公告）號: CN201110882Y
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 王昕;王世進;張郁華
• 申請（專利權）人: 廣州市昆德科技有限公司
• 主分類號: G01R31/265
• 分類號: G01R31/265
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司
• 代理人: 裘暉

技術領域

本實用新型涉及一種壽命測試儀，特別涉及一種可調節被測樣品與金屬電極之間接觸狀態的低阻單晶壽命測試儀。

背景技術

目前國產壽命儀都是采用高頻光電導衰退法，使用時單晶放在測量電極上，一般依靠單晶自身重力，少數情況下會在較輕的單晶頂端放置重物(如砝碼)增加單晶對電極的壓力，單晶測試面與金屬電極間的接觸壓力及面積都不能連續調節。目前現有的單晶壽命測試儀只能測晶塊，并且測量時，直接放置單晶塊于電極上，無法調節單晶塊與電極的接觸狀態(如極間電容、接觸電阻)，靈敏度受到很大限制，一般只能測量電阻率大于1Ω·cm以上的硅單晶壽命。

隨著半導體器件的發展，要求壽命測試儀能測更低電阻率的硅、鍺單晶壽命。現在太陽能電池使用的硅片電阻率已低至0.5Ω·cm，鍺片電阻率低至0.03Ω·cm。但目前國產高頻光電導衰退法的壽命儀不能測量低于0.3Ω·cm的單晶壽命。

發明內容

為了克服上述現有技術的不足之處，本實用新型的目的在于提供一種低阻單晶壽命測試儀。該測試儀設計了一種可以使電極上的金屬片與單晶測試面的接觸面積及壓力可連續調節的樣品測試臺。通過改變接觸面積及壓力，調節電極與樣品之間的等效電容及電阻，在測量低阻單晶時，通過這種極間電容、電阻的微調使末級高頻輸出回路達到最佳的諧振狀態，從而使信噪比提高數十倍至數百倍，實現了可測≥0.1Ω·cm硅片、≥0.03Ω·cm鍺片壽命的目的。

本實用新型通過下述技術方案實現：一種低阻單晶壽命測試儀，包括樣品測試臺、主機和示波器，所述主機包括高頻源、紅外發光管、取樣器、檢波器和寬頻放大器，其特征在于，所述樣品測試臺設置于主機的上面，主機與示波器連接，所述樣品測試臺包括樣品測試臺底座、測試臺支柱、光源電極臺、樣品臺和樣品臺懸臂，所述樣品臺為可升降的樣品臺，所述樣品測試臺底座上設有光源電極臺和測試臺支柱，所述測試臺支柱底部設置有防滑套，測試臺支柱上部設置有樣品臺懸臂，測試臺支柱與樣品臺懸臂通過鎖緊螺栓鎖定，樣品臺懸臂與樣品臺連接，所述樣品臺懸臂側部依次設有阻力調節旋鈕、粗調手輪和微調手輪，樣品臺中間設有樣品測量口，所述光源電極臺中設有兩彈性電極，兩彈性電極中間為紅外發光管出光口。

為了更好地實現本實用新型，所述彈性電極的形狀為V型、U型或S型等。

所述的防滑套上設有防滑套鎖緊螺栓。

所述樣品臺采用塑料或金屬制成；其厚度為1.0～3.0mm。所述樣品臺上設有樣品蓋。

所述樣品蓋厚度為2～8mm。

所述樣品測量口的大小不小于20×40mm。

本實用新型用于硅、鍺單晶非平衡少數載流子壽命測試。該低阻單晶壽命測試臺可測薄片也可測晶錠，可測硅、鍺兩種晶體。

本實用新型與現有技術相比，具有如下優點和有益效果：本實用新型可以通過旋轉粗調、細調手輪升降樣品臺，從而細致地調節單晶樣品測試面與彈性電極的接觸狀態(面積、壓力等)，從而改變輸出電路中的參數(如電阻、電容)，在單晶電阻率較低時會出現最佳的諧振狀態，從而極大地提高了信噪比，使信噪比提高數十倍至數百倍，可測定低阻單晶壽命值，實現了可測≥0.1Ω·cm、硅片≥0.03Ω·cm鍺片壽命的目的。本實用新型是一種可以測量電阻率低至0.03Ω·cm的鍺單晶少子壽命的專用測試儀，同樣可以用來測量低阻硅單晶少子壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型的低阻單晶壽命測試儀結構示意圖。

圖2為阻力調節旋鈕、粗調手輪和微調手輪的左視圖。

圖3為本實用新型的低阻單晶壽命測試儀電路示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖對本發明作進一步詳細的描述，但本發明的實施方式不限于此。

實施例1