[實(shí)用新型]一種高靈敏壓力傳感器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200720037740.8 | 申請(qǐng)日: | 2007-05-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201075043Y | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何宇亮;王樹娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 何宇亮;王樹娟 |
| 主分類號(hào): | G01L1/18 | 分類號(hào): | G01L1/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210036江蘇省南京*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 靈敏 壓力傳感器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種小型固態(tài)壓力傳感器的改進(jìn)。
背景技術(shù):
已有的固態(tài)傳感器,無論是單晶硅、多晶硅,還是非晶硅壓力傳感器壓力靈敏度和恒定性較差,使用溫度范圍窄,最佳工作溫度通常僅在80-100℃。
發(fā)明內(nèi)容:
本實(shí)用新型的發(fā)明目的是克服上述已有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種靈敏度高,最佳工作溫度范圍寬,使用壽命長的高靈敏壓力傳感器。
本實(shí)用新型由殼體(1)、殼體(1)內(nèi)的硅杯(3)、殼體(1)下部的進(jìn)氣口(2)和硅杯(3)連接的引線(4)組成,硅杯(3)上部覆蓋有硅膜片(5),硅杯(3)下部的高壓腔(6)與進(jìn)氣口(2)相連通,硅杯(3)上方為低壓腔(7),硅膜片(5)上設(shè)有氧化層(8),氧化層(8)上設(shè)有納米力敏電阻(9)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是靈敏性和穩(wěn)定性高,溫度范圍寬,可廣泛使用于汽車、探礦及軍事工程。
附圖說明:
附圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1——?dú)んw,2——進(jìn)氣口,3——硅杯,4——引線,5——硅膜片,6——高壓腔,7——低壓腔,8——氧化層,9——納米硅力敏電阻。
具體實(shí)施方式:
參照附圖1,硅杯(3)為環(huán)形,位于殼體(1)內(nèi)腔,左右兩側(cè)連接引線(4),硅杯(3)上口覆蓋有呈正方形的硅膜片(5),氧化層(8)位于硅膜片(5)上,納米硅力敏電阻(9)分布在硅膜片(5)上部氧化層(8)的四周邊緣,共設(shè)2對(duì),一對(duì)縱向設(shè)置,另一對(duì)呈切面設(shè)置,從而構(gòu)成惠靈頓應(yīng)變電橋。硅杯(3)上方為低壓腔(7),下部經(jīng)進(jìn)氣口(2)與高壓腔(6)連通。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于何宇亮;王樹娟,未經(jīng)何宇亮;王樹娟許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720037740.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





