[實用新型]一種MOSFET過壓保護裝置無效

申請號：	200720028645.1	申請日：	2007-09-30
公開（公告）號：	CN201113945Y	公開（公告）日：	2008-09-10
發明（設計）人：	陳玉新	申請（專利權）人：	煙臺奔騰汽車檢測維修設備制造有限公司
主分類號：	H03K17/08	分類號：	H03K17/08
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	264006山東***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 mosfet 保護裝置
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【權利要求書】：

1、一種MOSFET過壓保護裝置，由MOSFET(14)、二極管(13)，電阻(12)和電容(15)組成，其特征是：MOSFET(14)的漏極(2)與二極管(13)的正極(4)和電阻第一極(5)相連接；二極管(13)的負極(3)與電阻第二極(6)和電容第一極(7)相接；電容第二極(8)與MOSFET(14)的源極(1)相連接。

2、如權利要求1所述的MOSFET過壓保護裝置，其特征在于：所述的二極管(13)是肖特基二極管。

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