[發明專利]4F平方自對準側壁主動相變化存儲器

有效

• 申請號: 200710308123.1
• 申請日: 2007-12-29
• 公開（公告）號: CN101290948A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 龍翔瀾
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種存儲器結構，其特征在于，該存儲器結構包括：

一存儲單元陣列，位于一襯底上，其中該存儲單元陣列的一存儲單元包括：

一第一字線，位于該襯底上而沿著一第一方向延伸，該第一字線具有一第一字線寬度以及一第一主要側壁表面；

一第一側壁介電構件，形成于該第一字線的該第一主要側壁表面上；

一第一存儲構件，位于該第一側壁介電構件上，該第一存儲構件具有一第一底表面；

一第一摻雜區域，位于該襯底上而電接觸至該第一底表面；以及

一頂電極構件，具有沿著一第二方向延伸的一側邊，該第二方向垂直于該第一方向，該頂電極構件位于該第一存儲構件之上并電接觸至該第一存儲構件，該第一存儲構件具有與該頂電極構件的側邊對準的一側邊。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，該存儲單元進一步包括：

一第二字線，位于該襯底上而沿著該第一方向延伸，該第二字線具有一第二字線寬度以及一第二主要側壁表面；

一第二側壁介電構件，形成于該第二字線的該第二主要側壁表面上；

一第二存儲構件，位于該第二側壁介電構件上，該第二存儲構件具有一第二底表面；

一第二摻雜區域，位于該襯底上而電接觸至該第二底表面；以及

該頂電極構件位于該第二存儲構件之上并電接觸至該第二存儲構件，該第二存儲構件具有與該頂電極構件的側邊對準的一側邊。

3.根據權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，該第一及第二存儲構件，包括一編程電阻材料且具有一主動區域。

4.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該存儲單元包括第一底電極與第二底電極，該第一底電極與第二底電極包括電極材料，該第一底電極位于該第一存儲構件與該第一摻雜區域之間，該第二底電極位于該第二存儲構件與該第二摻雜區域之間，該第一底電極與第二底電極位于該第一字線與第二字線之間，該第一底電極包括一左底電極與一右底電極且該第二底電極包括一左底電極與一右底電極。

5.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該第一存儲構件與第二存儲構件的厚度滿足下列條件：小于等于20納米。

6.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該第一存儲構件與第二存儲構件的厚度滿足下列條件：介于2納米至50納米之間。

7.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該存儲器結構進一步包括：

多條位線其與該第二方向平行而延伸，每一該位線具有一位線寬度，其中相鄰的位線是以一第一分隔距離而隔離；

該第一字線與第二字線之間是以一第二分隔距離而隔離；

該存儲單元具有一存儲單元面積，該存儲單元面積沿著該第一方向具有一第一側邊、而沿著該第二方向具有一第二側邊，該第二側邊的長度等于該第一字線寬度與該第二分隔距離之和，且該第一側邊的長度等于該位線寬度與該第一分隔距離之和。

8.根據權利要求7所述的存儲器結構，其特征在于，該第一側邊的長度等于一特征尺寸F的兩倍，且該第二側邊的長度等于該特征尺寸F的兩倍，使得該存儲單元面積等于4F²。

9.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該存儲器結構進一步包括：

多條位線其沿著該第二方向平行延伸，每一該位線具有一位線寬度，每一該位線位于該頂電極構件之上并電接觸至該頂電極構件，其中相鄰的位線是以一第一分隔距離而隔離；

該第一字線與第二字線之間以一第二分隔距離而隔離；

該存儲單元具有一存儲單元面積，該存儲單元面積沿著該第一方向具有一第一側邊、而沿著該第二方向具有一第二側邊，該第二側邊的長度等于該第一字線寬度與該第二分隔距離之和，且該第一側邊的長度等于該位線寬度與該第一分隔距離之和。

10.根據權利要求9所述的存儲器結構，其特征在于，該第一側邊長度等于一特征尺寸F的兩倍，且該第二側邊的長度等于該特征尺寸F的兩倍，使得該存儲單元面積等于4F²。

11.根據權利要求2或3所述的存儲器結構，其特征在于，該些字線位于一第一介電層之上，并包括一第一導電層于該第一介電層之上，并包括一第二導電層于該第一導電層之上。