[發明專利]制造微陣列的方法

無效

• 申請號: 200710307759.4
• 申請日: 2007-07-16
• 公開（公告）號: CN101221121A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 夏政煥;池圣敏;金京善;金媛善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01N21/00
• 分類號: G01N21/00;G01N33/48;C12Q1/68
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 戎志敏

技術領域

本公開涉及一種制造微陣列的方法，更具體地，涉及一種以提高的反應產率制造微陣列的方法。

背景技術

隨著基因組計劃的進展，已公開了各種生物體的基因組核苷酸序列。由此，增加了對生物聚合物微芯片、尤其是微陣列的興趣。微陣列是廣泛用于例如基因表達譜、通過檢測突變或多形性例如單核苷酸多形性(SNP)、蛋白質或肽檢定進行的基因分型、可能的藥品篩選、新藥品的研制和制備等的工具。

廣泛可利用的微陣列可通過例如曝光包含采用光敏感保護基團保護的官能團的基板的預定區域而除去保護基團、曝光預定區域中的官能團以及之后在預定區域中進行單體的原位聚合來制造。

然而，為了用光照射除去光敏感保護基團，需要5,000毫焦耳(mJ)以上的曝光能量，其會導致大量的曝光和時間，由此會加長工藝時間。此外，在除去光敏感保護基團期間除去的保護基團會干擾其它保護基團的除去。另外，隨著微陣列變得高度集成，固定的官能團之間的間隔會減小，由此使得除去光敏感保護基團更難并且會導致反應產率減小。

由此，需要一種制造微陣列的方法，其能減少工藝時間和增強反應產率。

發明內容

本發明的示范性實施例提供了一種制造微陣列的方法，其能夠減少工藝時間并提高反應產率。

根據本發明的示范性實施例，提供一種制造微陣列的方法。該方法包括提供基板，該基板具有采用酸不穩定保護基團保護的官能團固定且能夠與低聚物探針偶聯的表面；將光酸產生劑提供到基板上；在基板上設置包括凸起區和圍繞凸起區的多個凹面區的印記模板，以使得該凸起區接觸或鄰接基板的上表面以由基板的上表面和印記模板的凸起區和凹面區限定多個反應區；將一個或多個反應區暴露到光以使得在一個或多個暴露的反應區中由光酸產生劑產生酸并且由酸除去對所述一個或多個暴露的反應區中的官能團的保護；以及將低聚物探針提供到基板上以使得低聚物探針與已除去保護的官能團偶聯。

根據本發明的示范性實施例，提供一種制造微陣列的方法。該方法包括提供基板，該基板具有采用酸不穩定保護基團保護的官能團固定且能夠與核苷酸亞磷酰胺單體偶聯的表面；將光酸產生劑提供到基板上；在基板上設置包括凸起區和圍繞凸起區的多個凹面區的印記模板，以使得該凸起區接觸或鄰接基板的上表面以由基板的上表面和印記模板的凸起區和凹面區限定多個反應區；將一個或多個反應區暴露到光以使得在一個或多個暴露的反應區中由光酸產生劑產生酸并且由酸除去對所述一個或多個暴露的反應區中的官能團的保護；以及將核苷酸亞磷酰胺單體提供到基板上以使得核苷酸亞磷酰胺單體與除去保護的官能團偶聯。

附圖說明

結合附圖，由下面的詳細描述，可以更詳細地理解本發明的示范性實施例，其中：

圖1是示出利用根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法制造的微陣列的截面圖；

圖2至10是用于示出根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法的中間結構的截面圖；

圖11和12是用于示出根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法的中間結構的截面圖；

圖13是示出利用根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法制造的微陣列的截面圖；

圖14和15是用于示出制造圖13的微陣列的方法的中間結構的截面圖；

圖16是示出利用根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法制造的微陣列的截面圖；

圖17和18是用于示出制造圖16的微陣列的方法的中間結構的截面圖；

圖19是示出利用根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法制造的微陣列的截面圖；

圖20是用于示出制造圖19的微陣列的方法的中間結構的截面圖；

圖21是示出利用根據本發明的示范性實施例的制造微陣列的方法制造的微陣列的截面圖；和

圖22是用于示出制造圖21的微陣列的方法的中間結構的截面圖。

具體實施方式

可以用許多不同的形式實施本發明，并且不應該認為限制于這里列出的示范性實施例。

由此，在一些實施例中，通常不詳細描述公知的處理步驟，以避免不必要使本發明的說明晦澀。