[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710307125.9
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101211865A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉載善;吳相錄
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/027;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的，其中在該第二區(qū)域中形成的蝕刻目標圖案的圖案密度小于在該第一區(qū)域中形成的蝕刻目標圖案的圖案密度，該方法包括：

提供含有該第一區(qū)域和該第二區(qū)域的襯底；

在該襯底上形成蝕刻目標層；

在該蝕刻目標層上形成硬掩模層；

蝕刻該硬掩模層，以分別在該第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案；

減小在該第二區(qū)域中形成的第二硬掩模圖案的寬度；和

使用該第一硬掩模圖案和具有減小寬度的該第二硬掩模圖案作為蝕刻阻擋來蝕刻該蝕刻目標層，以在該第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成蝕刻目標圖案。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中該硬掩模層為單層或具有疊層結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1的方法，其中該硬掩模層包含含硅的碳層。

4.如權(quán)利要求1的方法，其中通過使用四氟化碳(CF₄)與氧氣(O₂)的氣體混合物，或C_xF_y、C_xH_yF_z、NF₃、Cl₂和BCl₃氣體中的一種，或其氣體混合物來進行該第一硬掩模圖案和第二硬掩模圖案的形成，其中x、y和z為自然數(shù)。

5.如權(quán)利要求3的方法，其中通過各向同性蝕刻工藝來進行該第二硬掩模圖案寬度的減小。

6.如權(quán)利要求5的方法，其中通過使用CF₄與O₂的氣體混合物，或者C_xF_y、C_xH_yF_z、NF₃、Cl₂和BCl₃氣體中的一種、或其氣體混合物來進行該各向同性蝕刻工藝，其中x、y及z為自然數(shù)。

7.如權(quán)利要求5的方法，其中通過施加約100W到約300W的偏壓功率來進行該各向同性蝕刻工藝。

8.如權(quán)利要求1的方法，其中形成該硬掩模層包括：

通過使用氮化鈦(TiN)層、鈦(Ti)/TiN層、四氯化鈦(TiCl₄)層、鎢(W)層、氮化鎢(WN)層和氧化鋁(Al₂O₃)層的一種，在該蝕刻目標層上形成掩模層；和

在該掩模層上形成含有硅的碳層。

9.如權(quán)利要求1的方法，其中形成該蝕刻目標層包括：

在襯底上形成柵極絕緣層；

在該柵極絕緣層上形成柵極導(dǎo)電層；和

在該柵極導(dǎo)電層上形成柵極金屬層。

10.如權(quán)利要求9的方法，還包括在該柵極金屬層上形成柵極硬掩模層。

11.如權(quán)利要求10的方法，其中該柵極硬掩模層包含氮化物層。