[發明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200710306887.7
• 申請日: 2007-12-04
• 公開（公告）號: CN101221959A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 成碩濟;鄭基勛;崔晉榮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

在基板上彼此交叉的柵極線和數據線，在所述柵極線和所述數據線之間設置有柵極絕緣層；

薄膜晶體管，形成在所述柵極線和所述數據線的每個交叉點上；

顯示區域，在其中形成有連接到所述薄膜晶體管的像素電極；

位于所述顯示區域外圍的非顯示區域中包括連接到所述數據線的第一導電層的第一數據信號供應線；

與所述第一數據信號供應線交替的第二數據信號供應線，在所述第一數據信號供應線和所述第二數據信號供應線之間安置有所述柵極絕緣層，所述第二數據信號供應線包括連接到所述數據線的第二導電層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一數據信號供應線與所述柵極線由相同的金屬材料形成在同一平面上，和所述第二數據信號供應線與所述數據線由相同的金屬材料形成在同一平面上。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第二數據信號供應線與所述第一數據信號供應線的一側平行形成。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述第一數據信號供應線連接到第M條數據線，和所述第二數據信號供應線連接到第(M+1)條數據線，其中M是自然數。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，進一步包括：

第一和第二接觸孔，分別暴露所述第一數據信號供應線和所述第M條數據線；

第一橋接電極，經由所述第一和第二接觸孔連接所述第一數據信號供應線和所述第M條數據線；

第三和第四接觸孔，分別暴露所述第二數據信號供應線和所述第(M+1)條數據線；

第二橋接電極，經由所述第三和第四接觸孔連接所述第二數據信號供應線和所述第(M+1)條數據線。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二接觸孔大于所述第三和第四接觸孔，或者所述第三和第四接觸孔大于所述第一和第二接觸孔。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二橋接電極與所述像素電極由相同的金屬形成在同一平面上。

8.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二數據信號供應線分別形成在位于所述顯示區域上方和下方的所述非顯示區域中。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管，其中形成在位于所述顯示區域上方的所述非顯示區域中的所述第一和第二數據信號供應線分別連接到第M條數據線和第(4M-2)條數據線，和形成在位于所述顯示區域下方的所述非顯示區域中的所述第一和第二數據信號供應線分別連接到第(4M-3)條數據線和第(4M-1)條數據線。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管，進一步包括：

第一和第二接觸孔，分別暴露在位于所述顯示區域上方和下方的所述非顯示區域上的所述第一數據信號供應線和所述第4M條數據線；

第一橋接電極，經由所述第一和第二接觸孔連接所述第一數據信號供應線和所述第4M條數據線；

第三和第四接觸孔，分別暴露在位于所述顯示區域上方和下方的所述非顯示區域上的所述第二數據信號供應線和所述第(4M-2)條數據線；以及

第二橋接電極，經由所述第三和第四接觸孔連接所述第二數據信號供應線和所述第(4M-2)條數據線。

11.如權利要求10所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二接觸孔大于所述第三和第四接觸孔，或者所述第三和第四接觸孔大于所述第一和第二接觸孔。

12.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其中所述第一和第二橋接電極與所述像素電極由相同的金屬形成在同一平面上。

13.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一數據信號供應線的電阻率比所述第二數據信號供應線的電阻率小。

14.如權利要求13所述的薄膜晶體管，其中在所述第一和第二數據信號供應線的端部形成有連接到驅動電路的接觸墊。