[發明專利]快閃存儲器設備及其編程方法

無效

• 申請號: 200710306863.1
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN101202112A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 李熙烈
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 錢大勇

1.一種對快閃存儲器設備進行編程的方法，包括：

執行第一編程，以將單元編程至第一狀態和高于該第一狀態的第二狀態；以及

與所述第一編程一起同時執行第二編程，以將單元編程至所述第二狀態和高于該第二狀態的第三狀態。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對處于擦除狀態的單元之中的所選單元執行該第一編程，使之成為該第一狀態。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所選單元是將被編程至所述第一狀態和第二狀態的單元。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，當執行所述第一編程時，與要被編程至所述第一狀態的單元一起，將要被編程至所述第二狀態的單元同時編程至該第一狀態。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，執行該第二編程，以將處于擦除狀態的單元之中的所選單元編程至所述第三狀態，并且同時將經所述第一編程的單元之中要被編程至所述第二狀態的單元編程至該第二狀態。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，當執行所述第二編程時，將正電壓施加于連接到要被編程至所述第二狀態的單元的位線。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所施加的該正電壓為所述第二狀態的閾值電壓和所述第三狀態的閾值電壓之間的差。

8.一種對具有擦除狀態、第一狀態、第二狀態和第三狀態之一的快閃存儲器設備進行編程的方法，該方法包括：

執行第一編程，以使得處于擦除狀態的第一存儲單元中的一些成為處于第一狀態的第二存儲單元；以及

以下述方式來執行第二編程，即將地電壓施加于連接到包括第一存儲單元的串的第一位線、將正電壓施加于連接到包括第二存儲單元的串的第二位線，以使得所述第一存儲單元成為處于第二狀態的第三存儲單元，并且所述第二存儲單元成為處于第三狀態的第四存儲單元。

9.根據權利要求8中所述的方法，其中，在所述第二狀態中，通過所述第二編程操作，其閾值電壓變得高于第一狀態的閾值電壓；并且在第三狀態中，通過該第二編程操作，其閾值電壓變得高于所述第二狀態的閾值電壓。

10.根據權利要求8中所述的方法，其中，所述正電壓是高于地電壓、并低于施加到所選位線和包括在所述串中的漏極選擇晶體管的編程電壓之間的閾值電壓的差的電壓。

11.一種對快閃存儲器設備進行編程的方法，包括：

執行第一編程，以將經擦除的單元中的一些編程至第一狀態和高于該第一狀態的第二狀態；以及

以下述方式執行第二編程，即將地電壓施加于連接到包括所選存儲單元的串的第一位線以將經擦除的單元中的一些編程至高于所述第二狀態的第三狀態，并且同時，將正電壓施加于連接到存儲單元的第二位線以將經第一編程的單元編程至第二狀態。

12.根據權利要求11中所述的方法，其中，所施加的正電壓是第二狀態與第三狀態的閾值電壓之間的差。

13.一種快閃存儲器設備，包括：

存儲單元陣列，其上存儲數據；以及

頁面緩沖器，其通過位線連接到所述存儲單元，并且當執行編程時，其向各個位線施加第一電壓、第二電壓或該第一和第二電壓之間的第三電壓中的一個。

14.根據權利要求13中所述的快閃存儲器設備，其中，所述第一電壓是電源電壓，所述第二電壓是地電壓，并且第三電壓是正電壓。

15.根據權利要求14中所述的快閃存儲器設備，其中，所施加的正電壓是所述第二狀態和第三狀態的閾值電壓之間的差。

16.根據權利要求14中所述的快閃存儲器設備，其中，以下述方式傳送所述正電壓：即略微導通而不是完全導通從頁面緩沖器向位線傳送電壓的元件的導通電壓。