[發明專利]用于半導體封裝的印刷電路板的制造方法有效
| 申請號： | 200710306090.7 | 申請日： | 2007-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN101290888A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 李亮制;金宏植;安東基;韓美貞;許卿進;林營奎 | 申請（專利權）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 章社杲;吳貴明 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 半導體 封裝 印刷 電路板 制造 方法 | ||
1.?一種制造用于半導體封裝的印刷電路板的方法，所述方法包 括：
(a)準備用于封裝的印刷電路板，所述印刷電路板包括 引線接合焊盤與表面安裝器件安裝焊盤，并具有預定的電路圖 案；
(b)在所述印刷電路板的除所述引線接合焊盤與所述表 面安裝器件安裝焊盤之外的部分上形成阻焊劑層；
(c)通過化學鍍鎳與化學鍍金工藝，在所述引線接合焊 盤與所述表面安裝器件安裝焊盤的每一個上形成由化學鍍鎳 層與化學鍍金層構成的化學鍍鎳浸金層；以及
(d)通過電鍍金工藝，在所述表面安裝器件安裝焊盤中 的與覆鍍導線連接的表面安裝器件安裝焊盤的所述化學鍍鎳 浸金層上以及在每個所述引線接合焊盤的所述化學鍍鎳浸金 層上形成電鍍金層。
2.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述化學鍍鎳浸金層的化 學鍍金層的厚度在0.01μm至0.1μm的范圍內變化。
3.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述化學鍍鎳浸金層的化 學鍍鎳層的厚度在0.3μm至15μm的范圍內變化。
4.?根據權利要求1所述的方法，其中，所述電鍍金層的厚度在 0.1μm至1.0μm的范圍內變化。
5.?一種制造用于半導體封裝的印刷電路板的方法，所述方法包 括：
(a)準備用于封裝的印刷電路板，所述印刷電路板包括 引線接合焊盤、表面安裝器件安裝焊盤及ZIF連接器焊盤，并 具有預定的電路圖案；
(b)在所述印刷電路板的除所述引線接合焊盤、所述表 面安裝器件安裝焊盤以及所述ZIF連接器焊盤之外的部分上 形成阻焊劑層；
(c)在所述印刷電路板的除所述引線接合焊盤與所述表 面安裝器件安裝焊盤之外的部分上施加抗鍍劑；
(d)通過化學鍍鎳與化學鍍金工藝，在所述引線接合焊 盤與所述表面安裝器件安裝焊盤的每一個上形成由化學鍍鎳 層與化學鍍金層構成的化學鍍鎳浸金層；
(e)去除所述抗鍍劑；以及
(f)通過電鍍金工藝，在所述表面安裝器件安裝焊盤中 的與覆鍍導線連接的表面安裝器件安裝焊盤的所述化學鍍鎳 浸金層上、在每個所述引線接合焊盤的所述化學鍍鎳浸金層上 以及在所述ZIF連接器焊盤上形成電鍍金層。
6.?根據權利要求5所述的方法，其中，所述化學鍍鎳浸金層的化 學鍍金層的厚度在0.01μm至0.1μm的范圍內變化。
7.?根據權利要求5所述的方法，其中，所述化學鍍鎳浸金層的化 學鍍鎳層的厚度在0.3μm至15μm的范圍內變化。
8.?根據權利要求5所述的方法，其中，所述電鍍金層的厚度在 0.1μm至1.0μm的范圍內變化。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
