[發(fā)明專利]封裝微器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710305763.7 | 申請日: | 2007-11-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101221911A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘曉和 | 申請(專利權(quán))人: | 視頻有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/52;B81C3/00;B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00;B81B3/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 器件 | ||
1.一種用于施加防粘連材料到微器件的方法,包括:
將微器件包封在腔室中;
在容器中汽化防粘連材料,形成蒸汽化的防粘連材料;
通過與該腔室流體連通的進(jìn)口,從該容器中傳送該蒸汽化的防粘連材料到該包封的腔室中;以及
在該微器件的表面上沉積該蒸汽化的防粘連材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括在該傳送步驟之前抽空該腔室。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該傳送步驟包括將該容器的出口連接到該腔室的進(jìn)口,從而容許在該容器和該腔室之間的流體連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中該傳送步驟包括開啟在該容器的該出口處的閥門。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,還包括在該傳送步驟之后密封該腔室的進(jìn)口。
6.根據(jù)權(quán)利更求1所述的方法,其中該汽化步驟包括加熱該防粘連材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該汽化步驟包括蒸發(fā)該防粘連材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中該汽化步驟包括升華該防粘連材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該微器件包括第一元件和配置為與該第一元件接觸的第二可移動(dòng)元件,并且,該方法還包括在該第一元件的表面或該第二可移動(dòng)元件的表面上沉積該蒸汽化的防粘連材料,從而防止該第一元件和該第二可移動(dòng)元件之間的粘連。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中該第二可移動(dòng)元件是配置為傾斜的微鏡面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中該防粘連材料包括十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯硅烷(FOTS)或十七氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯硅烷(FDTS)。
12.一種微機(jī)械系統(tǒng),包括:
腔室,包括允許蒸汽化的防粘連材料傳送到該腔室的進(jìn)口;
包封在該腔室中的微器件,其中該微器件包括第一元件和配置為與該第一元件接觸的第二可移動(dòng)元件;以及
涂敷在該第一元件或該第二可移動(dòng)元件的表面上的防粘連材料,從而防止該第一元件和該第二可移動(dòng)元件之間的粘連。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該防粘連材料包括十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯硅烷(FOTS)或十七氟-1,1,2,2-四氫辛烷基三氯硅烷(FDTS)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中涂敷在該第一元件或該第二可移動(dòng)元件的表面上的防粘連材料比0.3納米厚。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中涂敷在該第一元件或該第二可移動(dòng)元件的表面上的防粘連材料比1.0納米厚。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該腔室至少部分地被抽空。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該腔室的進(jìn)口被密封。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該第二可移動(dòng)元件被配置為響應(yīng)外部信號(hào)而移動(dòng)到接觸該第一元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該第二可移動(dòng)元件是配置為響應(yīng)外部電信號(hào)而傾斜的微鏡面。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微機(jī)械系統(tǒng),其中該腔室包括對可見光、UV光或IR光中的至少一種透明的窗口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





