[發明專利]像素結構的制作方法

有效

• 申請號: 200710305315.7
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101197333A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 廖達文;楊智鈞;黃明遠;林漢涂;石志鴻;廖金閱;蔡佳琪
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種像素結構的制作方法，包括：

提供基板；

形成第一導電層于該基板上；

提供第一遮罩于該第一導電層上方，且該第一遮罩暴露出部分的該第一導電層；

使用激光經過該第一遮罩照射該第一導電層，以移除該第一遮罩所暴露的部分該第一導電層，而形成柵極；

形成柵極絕緣層于該基板上，以覆蓋該柵極；

形成溝道層于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

形成源極以及漏極于該柵極兩側的該溝道層上，且該柵極、該溝道層、該源極以及該漏極構成薄膜晶體管；

形成圖案化保護層于該薄膜晶體管上，以覆蓋該溝道層并暴露出該漏極；以及

形成電極材料層，以覆蓋該圖案化保護層與暴露的該漏極，并且通過該圖案化保護層使該電極材料圖案化，以形成像素電極。

2.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，還包括在形成圖案化保護層之后，烘烤該圖案化保護層，以使該圖案化保護層的頂表面凸出于該圖案化保護層的側壁。

3.如權利要求2所述的像素結構的制作方法，其中圖案化保護層的頂表面為蕈狀頂表面。

4.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，還包括在形成該像素電極之后，移除該圖案化保護層。

5.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該溝道層的方法包括：

形成半導體層于該基板上；以及

圖案化該半導體層，以形成該溝道層。

6.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該溝道層的方法包括：

形成半導體層于該基板上；

提供第二遮罩于該半導體層上方，且該第二遮罩暴露出部分的該半導體層；以及

使用激光經過該第二遮罩照射該半導體層，以移除該第二遮罩所暴露的部分該半導體層。

7.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該源極以及該漏極的方法包括：

形成第二導電層于該溝道層與該柵極絕緣層上；以及

圖案化該第二導電層，以形成該源極以及該漏極。

8.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成保護層于該薄膜晶體管上；以及

圖案化該保護層。

9.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成保護層于該薄膜晶體管上；

提供第三遮罩于該保護層上方，且該第三遮罩暴露出部分的該保護層；以及

使用激光經過該第三遮罩照射該保護層，以移除該第三遮罩所暴露的部分該保護層。

10.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該第一導電層的方法包括通過濺鍍、蒸鍍以及其他薄膜沉積技術擇其一所形成。

11.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該激光的能量介于10mJ/cm²至500mJ/cm²之間。

12.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該激光的波長介于100nm至400nm之間。

13.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該圖案化保護層包括形成于部分該柵極絕緣層上。

14.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該圖案化保護層的組成包括有機光致抗蝕劑材料。

15.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，還包括在形成該柵極的同時形成下層電容電極，而在形成該源極以及漏極的同時形成上層電容電極，其中該下層電容電極與該上層電容電極構成儲存電容器。

16.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該基板為玻璃或塑膠。

17.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該溝道層為非晶硅或n型摻雜非晶硅。

18.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該第一導電層的材質為鋁、鉬、鈦、釹、氮化鉬、氮化鈦，或前述材質的組合。

19.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中該源極以及漏極的材質為鋁、鉬、鈦、釹、氮化鉬、氮化鈦，或前述材質的組合。