[發明專利]像素結構的制作方法

無效

• 申請號: 200710305314.2
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101197332A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 方國龍;楊智鈞;黃明遠;林漢涂;石志鴻;廖達文;詹勛昌;蔡佳琪
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/1362
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種像素結構的制作方法，包括：

提供基板；

形成第一導電層于該基板上；

提供第一遮罩于該第一導電層上方，且該第一遮罩暴露出部分的該第一導電層；

使用激光經過該第一遮罩照射該第一導電層，以移除該第一遮罩所暴露的部分該第一導電層，而形成柵極；

形成柵極絕緣層于該基板上，以覆蓋該柵極；

同時形成溝道層、源極以及漏極于該柵極上方的該柵極絕緣層上，其中該源極與該漏極配置于該溝道層的部分區域，且該柵極、該溝道層、該源極以及該漏極構成薄膜晶體管；

形成圖案化保護層于該薄膜晶體管之上，該圖案化保護層暴露出部分該漏極；以及

形成像素電極，電性連接于該漏極。

2.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中同時形成該溝道層、該源極以及該漏極的方法包括：

形成半導體層于該柵極絕緣層上；

形成第二導電層于該半導體層上；

形成光致抗蝕劑層于該柵極上方的該第二導電層上，其中該光致抗蝕劑層可分為第一光致抗蝕劑區塊與位于該第一區塊兩側的第二光致抗蝕劑區塊，且該第一光致抗蝕劑區塊的厚度小于該第二光致抗蝕劑區塊的厚度；

以該光致抗蝕劑層為掩模對該第二導電層與該半導體層進行第一蝕刻工藝；

減少該光致抗蝕劑層的厚度，直到該第一光致抗蝕劑區塊被完全移除；以及

以剩余的該第二光致抗蝕劑區塊為掩模對該第二導電層進行第二蝕刻工藝，以使剩余的該第二導電層構成該源極以及該漏極，而該剩余的半導體層構成該溝道層。

3.如權利要求2所述的像素結構的制作方法，其中減少該光致抗蝕劑層厚度的方法包括進行灰化工藝。

4.如權利要求2所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成保護層于該柵極絕緣層以及剩余的該第二光致抗蝕劑區塊上；以及

移除剩余的該第二光致抗蝕劑區塊，以使該第二光致抗蝕劑區塊上的該保護層一并被移除。

5.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成光致抗蝕劑層于部分該漏極上；

形成保護層，以覆蓋該柵極絕緣層、該薄膜晶體管以及該光致抗蝕劑層；以及

移除該光致抗蝕劑層，以使該光致抗蝕劑層上的該保護層一并被移除。

6.如權利要求5所述的像素結構的制作方法，其中移除該光致抗蝕劑層的方法包括掀離工藝。

7.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成保護層于該柵極絕緣層與該薄膜晶體管上；以及

圖案化該保護層。

8.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該圖案化保護層的方法包括：

形成保護層于該柵極絕緣層與該薄膜晶體管上；

提供第二遮罩于該保護層上方，且該第二遮罩暴露出部分的該保護層；以及

使用激光經過該第二遮罩照射該保護層，以移除該第二遮罩所暴露的部分該保護層。

9.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該溝道層、該源極以及該漏極的方法還包括：

在形成該半導體層之后，形成歐姆接觸層于該半導體層表面：以及

經過該第一蝕刻工藝與該第二蝕刻工藝，移除對應于該第二光致抗蝕劑區塊之外的該歐姆接觸層。

10.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該像素電極的方法包括：

形成電極材料層于該圖案化保護層以及該漏極上；以及

圖案化該電極材料層。

11.如權利要求10所述的像素結構的制作方法，其中形成該電極材料層的方法包括通過濺鍍形成銦錫氧化物層或銦鋅氧化物層。

12.如權利要求1所述的像素結構的制作方法，其中形成該像素電極的方法包括：

形成電極材料層于該圖案化保護層以及該漏極上；

提供第三遮罩于該導電層上方，且該第三遮罩暴露出部分的該電極材料層；以及

使用激光經過該第三遮罩照射該電極材料層，以移除該第三遮罩所暴露的部分該電極材料層。