[發(fā)明專(zhuān)利]變?nèi)荻O管及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710305311.9
• 申請(qǐng)日: 2007-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101211988A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林秀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/93
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/93;H01L21/329
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 馮志云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及變?nèi)荻O管及其制造方法。

背景技術(shù)

二極管包括真空電子管二極管和半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管包括點(diǎn)接觸型二極管、結(jié)二極管、隧道二極管、光電二極管和變?nèi)荻O管。

變?nèi)荻O管是可變電抗器二極管，并且其電容根據(jù)所施加的電壓而改變。(以下，將使用術(shù)語(yǔ)“變?nèi)荻O管”來(lái)表示變?nèi)荻O管或可變電容)。

根據(jù)相關(guān)技術(shù)，已使用CMOS工藝制造N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管。然而，如果在相關(guān)的N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管中需要大容量電容(Cjo)，則對(duì)應(yīng)的N+區(qū)的大小必定增加。因此，元件的大小也必定變大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種變?nèi)荻O管及其制造方法，能夠在即使變?nèi)荻O管具有較小尺寸的情況下獲得較大電容。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管，包括：分別在襯底上垂直形成的多個(gè)第一導(dǎo)電型阱；在所述第一導(dǎo)電型阱中形成的多個(gè)第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；與第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞(plug)；在第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)中最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)的兩側(cè)形成的隔離區(qū)；和第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，其在所述第一導(dǎo)電型阱的最上方的第一導(dǎo)電型阱中，并且通過(guò)隔離區(qū)與所述最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電斷開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟：通過(guò)向襯底中注入第一導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一阱；通過(guò)向所述第一阱中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一離子注入?yún)^(qū)；在其中具有所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成外延層；在所述第一離子注入?yún)^(qū)兩側(cè)的所述外延層中形成隔離區(qū)；通過(guò)向其中具有除預(yù)定的插塞區(qū)之外的隔離區(qū)的所述外延層中注入第一導(dǎo)電型離子來(lái)形成第二阱；通過(guò)向?qū)?yīng)于所述插塞區(qū)的所述外延層中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)；通過(guò)向所述第一離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第二離子注入?yún)^(qū)，以使所述第二離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第一插塞；和在第二阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)通過(guò)所述隔離區(qū)與所述第二離子注入?yún)^(qū)電斷開(kāi)。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟：通過(guò)向襯底中注入第一導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一阱；通過(guò)向所述第一阱中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一離子注入?yún)^(qū)；在其中具有所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成第一外延層；通過(guò)向所述第一外延層的一部分中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)；通過(guò)對(duì)所述第一外延層的第一注入工藝來(lái)形成第二阱；通過(guò)向所述第一離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第二離子注入?yún)^(qū)；在其中具有所述第二離子注入?yún)^(qū)的第一外延層上形成第二外延層；在所述第二離子注入?yún)^(qū)的兩側(cè)上的所述第二外延層中形成隔離區(qū)；通過(guò)向其中具有隔離區(qū)的所述第二外延層中注入第一導(dǎo)電型離子來(lái)形成第三阱(以及任選地，阻斷所述第二外延層的部分)；通過(guò)向所述第二外延層中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第二插塞，其中所述第二插塞電連接至所述第二離子注入?yún)^(qū)；通過(guò)向所述第三阱中注入第二導(dǎo)電型離子來(lái)形成第三離子注入?yún)^(qū)，以使所述第三離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第二插塞；和在通過(guò)所述隔離區(qū)與所述第三離子注入?yún)^(qū)電斷開(kāi)的第三阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的變?nèi)荻O管的截面圖；和

圖2至圖13是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的變?nèi)荻O管制造方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變?nèi)荻O管及其制造方法。

在示例性實(shí)施例的描述中，可以理解的是，在提到一層(或膜)在另一層或襯底“上”時(shí)，這一層可以直接在另一層或襯底上，或者也可以存在中間層。此外，可以理解的是，在提到一層在另一層“下”時(shí)，這一層可以直接在另一層下，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還可以理解的是，在提到一層在兩層“之間”時(shí)，這一層可以是在這兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。

圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的變?nèi)荻O管的截面圖。