[發(fā)明專利]變?nèi)荻O管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710305311.9
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101211988A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林秀
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/93
• 分類號: H01L29/93;H01L21/329
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 馮志云

1.一種變?nèi)荻O管，包括：

在襯底上的多個垂直的第一導(dǎo)電型阱；

在所述第一導(dǎo)電型阱中的多個第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；

與相鄰的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個第二導(dǎo)電型插塞；

在最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)兩側(cè)的隔離區(qū)；和

第一導(dǎo)電型高密度離子注入?yún)^(qū)，其在最上方的第一導(dǎo)電型阱中，并且通過至少一個所述隔離區(qū)與所述最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電斷開。

2.如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第一導(dǎo)電型阱包括P型離子。

3.如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第一導(dǎo)電型阱具有相同電勢。

4.如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)包括高濃度N型離子。

5.一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟：

通過向襯底注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱；

通過向所述第一阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)；

在具有所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成外延層；

在所述第一離子注入?yún)^(qū)相對兩側(cè)上的所述外延層中形成至少一個隔離區(qū)；

通過向所述外延層注入第一導(dǎo)電型離子來形成第二阱；

通過向所述外延層注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)；

通過向所述第一離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二離子注入?yún)^(qū)，以使所述第二離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第一插塞；和

在所述第二阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)通過所述隔離區(qū)與所述第二離子注入?yún)^(qū)電斷開。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型離子是P型離子。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一阱具有相同電勢。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型離子是高濃度N型離子。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其中形成所述第二阱的步驟還包括：在所述外延層中的預(yù)定插塞區(qū)域上形成掩模，并且通過使用所述掩模向所述外延層注入所述第一導(dǎo)電型離子，以阻斷向所述預(yù)定插塞區(qū)域中的注入。

10.一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟：

通過向襯底注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱；

通過向所述第一阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)；

在包括所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成第一外延層；

通過向所述第一外延層的一部分注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)；

通過向所述第一外延層注入離子來形成第二阱；

通過向所述第二阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二離子注入?yún)^(qū)；

在其中具有所述第二離子注入?yún)^(qū)的所述第一外延層上形成第二外延層；

在所述第二外延層中形成多個隔離區(qū)；

通過向所述第二外延層注入第一導(dǎo)電型離子來形成第三阱；

通過向所述第二外延層的一部分注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二插塞，其中所述第二插塞電連接至所述第二離子注入?yún)^(qū)；

通過向所述第二離子注入?yún)^(qū)上的所述第三阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第三離子注入?yún)^(qū)，以使所述第三離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第二插塞；和

在所述第三阱的一部分上形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)通過至少一個所述隔離區(qū)與所述第三離子注入?yún)^(qū)電斷開。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型離子是P型離子。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一阱具有相同電勢。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型離子是N型離子。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中以高濃度注入所述第二導(dǎo)電型離子。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括以下步驟：

形成至少一個第一導(dǎo)電型阱；

在所述第一導(dǎo)電型阱中形成第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；和

在形成所述第二外延層之后，形成與所述第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的插塞。