[發明專利]具有非完全粘接區域的半導體激光裝置和電子設備

有效

• 申請號: 200710305152.2
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN101227060A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 國政文枝
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/00;H01L21/60;H01L23/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 葛青

技術領域

本發明涉及半導體激光裝置和電子設備。

背景技術

以往，在半導體激光裝置中，為了防止因激光器工作時半導體激光元件的溫度上升所導致的發光效率降低以及半導體激光元件的破損等，使用散熱器。即，在半導體激光元件的下面通過焊料層粘接散熱器，使工作時產生的熱從散熱器有效地進行散熱。

但是，由于半導體激光元件和散熱器的熱膨脹系數不同，因此會產生應力，在半導體激光元件中產生內部應力。即，存在構成半導體激光元件的半導體層產生變形的問題。

對于這個問題，現有技術的半導體激光裝置(日本特許第3461632號公報)，利用半導體激光元件的電極形狀減小半導體激光元件內部應力。

如圖3的剖面圖所示，該現有技術的半導體激光裝置1具有：半導體激光元件2和焊料層4以及散熱器5。半導體激光元件2通過焊料層4固定在散熱器5上。散熱器5具有：散熱器部件8、在該散熱器部件8的厚度方向的一方的表面上形成的上面電極6、以及在厚度方向的另一方的表面上形成的下面電極7。在該上面電極6上層疊焊料層4。并且，在該焊料層4上層疊半導體激光元件2，使其與構成半導體激光元件2的下面電極3的合金化層19相對。

該半導體激光元件2在襯底11的厚度方向的一方的表面上順序層疊活性層13、覆蓋層15、歐姆電極層16、和非合金化層17。另一方面，在襯底11的厚度方向的另一方的表面上形成半導體激光元件2的上面電極18。然后，在非合金化層17上部分地層疊了合金化層19。該合金化層19和非合金化層17構成下面電極3。

如圖3所示，在半導體激光元件2的發光區域8從與條狀延伸的方向(垂直紙面的方向)和發光區域8的厚度方向正交的正交方向的發光區域8的中心線J0向著所述正交方向兩側到離開規定尺寸處的區域21中，不存在合金化層19，而存在非合金化層17。即，在區域21中，半導體激光元件2的下面電極3不與焊料層4合金化，非合金化層17與焊料層4相對。另一方面，在從中心軸J0開始在正交方向上比區域21進一步離開的區域中，下面電極3與焊料層4合金化，合金化電極層19被粘接到焊料層4。

在通過焊料材料將半導體激光元件2熱融接在散熱器5上時，在圖3的合金化層19，會引起與層疊在散熱器5上的焊料材料的合金化，使其牢固地粘接在焊料層4上。與此相對，在非合金化層17，沒有引起與層疊在散熱器5上的焊料材料的合金化，不能與焊料層4牢固地粘接。

因此，在非合金化層17，與合金化層19相比，降低了內部應力。并且，由于發光區域8被形成在非合金化層17與焊料層4接觸的非合金化區域中，因此，能夠減小發光區域8的內部應力，可以提高半導體激光裝置1的可靠性。

然而，在現有技術的半導體激光裝置1中，由于在半導體激光元件2的發光區域8的正下方形成非合金化層17，因此，存在如下問題，由于非合金化層17和歐姆電極層(合金化層19)或活性區域(發光區域8)的熱膨脹系數不同，會產生對發光區域8的應力，從而無法充分得到提高可靠性的效果。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種半導體激光裝置，其能夠減小半導體激光元件中產生的應力(Stress)，實現長壽命化。

為了解決所述課題，本發明提供一種半導體激光裝置，包括：

形成條狀發光區域的半導體激光元件；以及

被粘接于所述半導體激光元件的散熱器，

所述半導體激光元件具有：

與所述散熱器相對的導電性的電極；以及

層疊于所述導電性的電極的焊料層，

所述焊料層不存在于第一區域，而存在于第二區域，所述第一區域是與所述發光區域以所述條狀延伸的延伸方向、和所述發光區域的厚度方向正交的正交方向的從所述發光區域的中心線到朝向所述正交方向的兩側離開規定尺寸處的區域，并且，所述第二區域是從所述中心線到比所述第一區域更向所述正交方向的兩側離開的區域，

進而還包括所述焊料層與所述散熱器所具有的金屬層進行合金化的粘接部。

根據本發明的半導體激光裝置，焊料層不存在于從所述發光區域的中心線到朝向所述正交方向的兩側只離開規定尺寸處的第一區域中。即，發光區域所存在的第一區域成為半導體激光元件的焊料層與散熱器的非完全粘接區域。因此，能夠減小在工作時由于半導體激光元件、焊料層和散熱器的熱膨脹系數不同而施加給發光區域的應力。因此，根據本發明，能夠抑制發光區域的變形。