[發(fā)明專利]具有非完全粘接區(qū)域的半導體激光裝置和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710305152.2 | 申請日： | 2007-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN101227060A | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 國政文枝 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024;H01S5/00;H01L21/60;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 完全 區(qū)域 半導體 激光 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種半導體激光裝置，其特征在于，
包括：
形成條狀發(fā)光區(qū)域的半導體激光元件；以及
被粘接于所述半導體激光元件的散熱器，
所述半導體激光元件具有：
與所述散熱器相對的導電性的電極；以及
層疊于所述導電性的電極的焊料層，
所述焊料層不存在于第一區(qū)域，而存在于第二區(qū)域，所述第一區(qū)域是與所述發(fā)光區(qū)域以所述條狀延伸的延伸方向、和所述發(fā)光區(qū)域的厚度方向正交的正交方向的從所述發(fā)光區(qū)域的中心線到朝向所述正交方向的兩側(cè)離開規(guī)定尺寸處的區(qū)域，并且，所述第二區(qū)域是從所述中心線到比所述第一區(qū)域更向所述正交方向的兩側(cè)離開的區(qū)域，
進而還包括所述焊料層與所述散熱器所具有的金屬層進行合金化的粘接部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
在所述第一區(qū)域中，在所述半導體激光元件的所述導電性的電極與所述散熱器所具有的金屬層之間不存在焊料，并且，所述導電性的電極與所述金屬層不融接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
在所述第一區(qū)域中，在所述半導體激光元件的所述導電性的電極與所述散熱器之間形成有空洞。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
在所述第二區(qū)域中，所述導電性的電極和所述焊料層的接合部與所述焊料層形成合金化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
所述導電性的電極包括用含有Au的材料制作的表層，
所述焊料層用由AuSn或者SnPb構(gòu)成的焊料材料制作，
所述散熱器所具有的金屬層包括用含有Au的材料制作的表層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述焊料層用由AuSn構(gòu)成的焊料材料利用電解鍍制作。
7.一種電子設(shè)備，其具備權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置。
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