[發(fā)明專(zhuān)利]一種降低歐姆壓降的芯片及其方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710304294.7 | 申請(qǐng)日: | 2007-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101221951A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉健;祝侃;楊柱 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京中星微電子有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/02;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京億騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 陳霽 |
| 地址: | 100083北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 降低 歐姆 芯片 及其 方法 | ||
????????????????????????技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片,特別是能夠降低歐姆壓降的芯片以及降低歐姆壓降的方法。
????????????????????????背景技術(shù)
芯片的供電是芯片元件正常工作的保證。芯片的供電又包括IO供電和內(nèi)核(CORE)供電。對(duì)于內(nèi)核供電來(lái)說(shuō),由于芯片的集成度越來(lái)越大,一個(gè)芯片上的邏輯門(mén)的數(shù)量也越來(lái)越多,供電電源在芯片內(nèi)核上的走線也越來(lái)越長(zhǎng),電壓在電源線上的壓降也越來(lái)越大。另一方面,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,芯片內(nèi)核電壓的值越來(lái)越低,使得器件抗電源壓降的范圍越來(lái)越小,這樣就有可能出現(xiàn)某些離電源過(guò)遠(yuǎn)的器件供電電壓不足而影響其正常工作的情況,這種現(xiàn)象稱(chēng)為歐姆壓降(IRDrop)。歐姆壓降的出現(xiàn)會(huì)增大電路的延時(shí),還會(huì)增大時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的時(shí)鐘扭斜,從而減小數(shù)據(jù)的保持時(shí)間,或者會(huì)增大信號(hào)的扭斜,減小信號(hào)的建立時(shí)間,這都會(huì)造成數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸延遲和電平不可預(yù)測(cè),導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤。因此,歐姆壓降對(duì)芯片的時(shí)序和可靠性影響越來(lái)越大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片無(wú)法正常工作或部分失效,制約芯片的工作。
在芯片技術(shù)發(fā)展的初期,IO電壓和CORE電壓是一樣的,可以用一個(gè)電壓來(lái)提供。隨著深亞微米技術(shù)的發(fā)展,為了降低功耗,CORE電壓越來(lái)越低,而另一方面,由于PCB系統(tǒng)上的噪聲的影響,IO電壓依然保持不變。因此,需要在系統(tǒng)上為芯片提供兩個(gè)電壓。現(xiàn)有技術(shù)中的部分芯片通過(guò)在芯片四周設(shè)置不同的電源管腳(PAD)來(lái)分別為芯片IO和CORE供電。這樣,對(duì)于芯片內(nèi)核來(lái)說(shuō),可以通過(guò)直接增加給CORE供電的電源PAD數(shù)目的方式來(lái)降低歐姆壓降。這些電源PAD可以在芯片內(nèi)部交織成網(wǎng),使得器件就近接入電源,從而在一定程度上降低歐姆壓降。但是,這種方案的缺點(diǎn)是:首先,分別為IO和CORE供電的方式給系統(tǒng)造成了額外的開(kāi)銷(xiāo),其次,為了降低歐姆壓降而大量增加電源PAD,必然要求芯片封裝的針腳(PIN)的數(shù)目增加,因此要受到芯片PIN數(shù)目的限制。
隨著芯片集成度的提高,為了節(jié)約成本,另一部分芯片在芯片內(nèi)部集成一個(gè)電壓調(diào)制器VR(Voltage?Regulator),通過(guò)VR來(lái)為CORE供電。在這種情況下,VR的輸入為IO電壓,輸出為CORE電壓。這樣帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)約了系統(tǒng)上的成本,系統(tǒng)只需要為芯片提供一個(gè)IO電壓就可以了。但是對(duì)這樣的芯片而言,CORE直接由VR供電,使得離VR較遠(yuǎn)器件的歐姆壓降比較突出,不容忽略。
由于造成歐姆壓降的原因主要是由于CORE電源線的電阻過(guò)大造成的,降低電阻就可以減少甚至消除歐姆壓降造成的影響。最直觀的降低電阻的方法有兩個(gè),減小電源線的長(zhǎng)度或增加電源線的寬度。對(duì)于給定的設(shè)計(jì)來(lái)講,芯片的面積是固定的,因此電源線的長(zhǎng)度也是固定的;對(duì)于增加電源線的寬度,這將帶來(lái)芯片面積的增加,導(dǎo)致成本的上升,也是不可取的。因此,需要一種新的方法來(lái)降低這種芯片的歐姆壓降。
????????????????????發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于降低芯片的歐姆壓降。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種芯片,包括:
電壓調(diào)制器,集成于芯片內(nèi)部;
至少一個(gè)電源管腳,設(shè)置于芯片周?chē)?/p>
所述電壓調(diào)制器的輸出連接至所述電源管腳,所述電源管腳互相連接并接入芯片的供電網(wǎng)。
在第一方面中,優(yōu)選的是所述電壓調(diào)制器的輸出同時(shí)接入芯片供電網(wǎng)。
在優(yōu)選方案中,所述電壓調(diào)制器的輸出直接連接至最近的一個(gè)電源管腳。在替代方案中,所述電壓調(diào)制器的輸出直接連接至多個(gè)電源管腳。
在優(yōu)選方案中,所述電壓調(diào)制器的輸出通過(guò)外部電源線連接至電源管腳,電源管腳之間通過(guò)所述外部電源線互相連接。
進(jìn)一步優(yōu)選地,所述外部電源線位于芯片封裝之內(nèi)。在替代方案中,所述外部電源線位于PCB上。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供了一種降低芯片歐姆壓降的方法,包括:
將芯片的電壓調(diào)制器的輸出連接至電源管腳,將所述電源管腳互相連接并接入芯片的供電網(wǎng),其中電壓調(diào)制器集成于芯片內(nèi)部,電源管腳設(shè)置于芯片周?chē)?/p>
在第二方面中,優(yōu)選的是將所述電壓調(diào)制器的輸出也接入芯片供電網(wǎng)。
在優(yōu)選方案中,可以將電壓調(diào)制器的輸出直接連接至最近的一個(gè)電源管腳或直接連接至多個(gè)電源管腳。
在另一優(yōu)選方案中,可以將所述電壓調(diào)制器的輸出通過(guò)外部電源線連接至電源管腳,并將電源管腳也通過(guò)該外部電源線互相連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





