[發(fā)明專利]環(huán)路增益可控的自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710303890.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101471632A | 公開(公告)日: | 2009-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王晗;葉青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào): | H03F3/45 | 分類號(hào): | H03F3/45 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 環(huán)路 增益 可控 偏置 低壓 運(yùn)算 放大器 電路 | ||
1.一種環(huán)路增益可控的自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路,其特征在于,該電路由一偏置電路(11)、一差分輸入級(jí)電路(12)、一輸出級(jí)電路(13)和一兩級(jí)放大器補(bǔ)償電路(14)構(gòu)成;所述兩級(jí)放大器補(bǔ)償電路(14)為所述偏置電路(11)的閉環(huán)相位裕度進(jìn)行補(bǔ)償,包括電阻R0和電容Cc;其中:
所述偏置電路(11)包括PMOS晶體管PM0和PM1以及NMOS晶體管NM0和NM1;其中,NM1的柵極、NM0的柵極和漏極以及PM0的漏極直接耦合,PM1的柵極和漏極、NM1的漏極與所述差分輸入級(jí)電路(12)中PM2、PM3的柵極直接耦合,PM0和PM1的源極與參考電源相連接,NM0和NM1的源極與參考地相連接;
所述差分輸入級(jí)電路(12)包括NMOS晶體管NM2、NM3、NM5和NM6,以及PMOS晶體管PM2和PM3;其中PM2和PM3的柵極與所述偏置電路(11)中PM1的柵極直接相連接,PM2的漏極與NM2的漏極相連接,PM3的漏極與NM3的漏極相連接,PM2和PM3的源極與參考電源相連接;NMOS管NM2和NM3的柵極為所述自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路的差分輸入端口,NM2的漏極分別與PM2的漏極以及NM5的柵極相連接,NM3的漏極分別與PM3的漏極以及NM6的柵極相連接,同時(shí),NM3的漏極還與所述兩級(jí)放大器補(bǔ)償電路(14)的電阻R0一端相連接,R0的另一端與電容Cc的一端直接相連接,Cc的另一端與NM4的漏極即放大器電路的輸出端口相連接;NM2的源極與NM5的漏極直接耦合,NM3的源極與NM6的漏極直接耦合;
所述輸出級(jí)電路(13)的輸入管為NMOS晶體管NM4,NM4的柵極與NM3的漏極直接相連接;負(fù)載管為二極管形式連接的PMOS晶體管PM4,PM4的漏極與柵極以及NM4的漏極相連接,并耦合到所述偏置電路(11)中PM0的柵極,PM4的源極與參考電源相連接,NM4的源極與參考地相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)路增益可控的自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路,其特征在于,所述NMOS晶體管NM5和NM6為尾電流管,該尾電流管NM5和NM6為所述差分輸入級(jí)電路(12)提供直流偏置電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)路增益可控的自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路,其特征在于,所述輸出級(jí)電路(13)為一簡(jiǎn)單的共源放大器,所述晶體管PM4為所述偏置電路(11)提供電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)路增益可控的自偏置低壓運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路,其特征在于,所述偏置電路(11)提供差分輸入級(jí)電路(12)的直流偏置,使得差分輸入級(jí)電路(12)提供足夠高的小信號(hào)增益,輸入小信號(hào)經(jīng)差分輸入級(jí)電路(12)放大,輸出信號(hào)經(jīng)輸出級(jí)電路(13)被進(jìn)一步放大且提供了較低的輸出阻抗,而偏置電路(11)的直流偏置則由輸出級(jí)電路(13)提供,形成一個(gè)自偏置的運(yùn)算跨導(dǎo)放大器電路。
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