[發明專利]制造電路的方法無效
| 申請號: | 200710301556.4 | 申請日: | 2007-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN101207054A | 公開(公告)日: | 2008-06-25 |
| 發明(設計)人: | 哈里·黑德勒;羅蘭·伊爾西格勒 | 申請(專利權)人: | 奇夢達股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 章社杲;吳貴明 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 電路 方法 | ||
相關申請交叉參考
本專利申請要求于2006年12月21日提交的第DE?10?2006?060533.0號德國專利申請的優先權,其全部內容結合于此作為參考。
技術領域
本發明涉及一種用于制造具有包括電導體的第一層的電路結構(布置,arrangement)和具有與第一層相接觸的接觸層的結構的方法,所述第一層具有帶有電導體的通道(channel)。
背景技術
在傳統應用中,電路(諸如存儲器芯片)以導電的方式通過引線接合法連接至襯底或連接至其它電路。而且,已知方法使用倒裝芯片連接法,通過該方法,電路以導電的方式與襯底相接觸或與其它電路相接觸。在已知方法或已知結構中,分別地,使用多個電線或連接元件以便以導電的方式將電路連接至襯底或連接至其它電路。
出于這些及其它原因而需要本發明。
發明內容
一個實施例提供了一種用于制造電路結構的方法,該電路結構具有包括電導體的第一層,該電導體具有用于電路的電觸點。在一個實施例中提供了基底層,其中:包括至少一個通道的第一層被設置在基底層上;第一層由電絕緣材料制成;基底層至少部分地覆蓋通道;第二層被設置在第一層上,第二層包括凹部,該第二層至少部分地覆蓋通道;并且該凹部至少部分地設置在通道上方;通道和凹部填充有液體,該液體被固化并且電導體被形成在通道中以及凹部中。
附圖說明
附圖被包括進來以提供對本發明的進一步理解,并且附圖包含在本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖示出了本發明的實施例并與所述描述一起用于解釋本發明的原理。由于通過結合以下詳細描述更好理解,因此更容易明白本發明的其它實施例和本發明的許多預期優點。附圖中的元件不必相對于彼此成比例。相同的參考標號表示相應的類似部件。
圖1示出了襯底。
圖2示出了襯底的橫截面圖。
圖3示出了具有第一層的襯底。
圖4示出了具有第一層的襯底的橫截面圖。
圖5示出了具有第一層和第二層的襯底。
圖6是具有第一層和第二層的襯底的橫截面圖。
圖7示出了具有填充有液體導電材料的第一層和第二層的襯底。
圖8是具有填充有液體導電材料的第一層和第二層的襯底的橫截面圖。
圖9是具有第一層和第二層的襯底的橫截面圖,所述第一層和第二層具有接觸球。
圖10示出了具有第一層和第二層以及第三層的襯底的橫截面圖。
圖11是具有第一層和第二層以及接觸元件的襯底的橫截面圖。
圖12示出了第一工藝過程。
圖13示出了第二工藝過程。
圖14示出了第三工藝過程。
圖15示出了第四工藝過程。
圖16示出了用于制造具有電觸點的部件的第五工藝過程。
圖17示出了具有第一層和第二層以及用于連接的載體襯底(Carrier?Substrate)的襯底。
圖18示出了在連接至載體襯底之后的具有第一層和第二層的襯底。
圖19示出了包括具有填充的通道的載體襯底的襯底。
圖20示出了包括載體襯底的襯底,所述襯底由保護層(cappinglayer)環繞。
圖21示出了部件的另一個實施例。
圖22示出了包括襯底、第一層和第二層以及載體襯底的結構。
圖23示出了包括襯底和載體襯底的結構,所述通道被填充。
圖24示出了包括載體襯底和保護層的襯底。
圖25示出了第三層。
圖26示出了包括第一和第二層的第三層。
圖27示出了具有下部保護層的第一、第二和第三層。
圖28示出了具有填充通道的第一、第二和第三層。
圖29示出了具有接觸墊(contact?pad)的第一、第二和第三層的另一個實施例。
圖30示出了具有接觸墊和兩個襯底的結構。
圖31示出了具有中間層的圖30的結構。
圖32示出了具有由保護層環繞的兩個襯底的結構。
圖33示出了具有接觸球的兩個襯底。
圖34示出了通過接觸球連接至兩個襯底的層結構。
圖35示出了包括襯底和接觸球的層結構,其中設有中間層。
圖36示出了具有由保護層環繞的兩個襯底的結構。
圖37示出了用于在第一工藝過程中填充通道的結構。
圖38示出了用于在第二工藝過程中填充通道的結構。
圖39示出了第三工藝過程中的結構。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





