[發明專利]制造電路的方法無效
| 申請號: | 200710301556.4 | 申請日: | 2007-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN101207054A | 公開(公告)日: | 2008-06-25 |
| 發明(設計)人: | 哈里·黑德勒;羅蘭·伊爾西格勒 | 申請(專利權)人: | 奇夢達股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 章社杲;吳貴明 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 電路 方法 | ||
1.一種用于制造電路結構的方法,所述方法包括:
提供基底層以及設置在所述基底層上的具有至少一個通道的第一層,所述第一層由電絕緣材料制成,所述基底層至少部分地覆蓋所述通道;
在所述第一層上設置第二層;所述第二層具有凹部;所述第二層至少部分地覆蓋所述通道;所述凹部至少部分地布置在所述通道上方;
用液體填充所述通道和所述凹部;以及
使所述液體固化,電導體被形成在所述通道中和所述凹部中,所述電導體具有用于電路的電觸點。
2.根據權利要求1所述的方法,包括:
將所述基底層構造為具有電路的襯底,所述電路包括電接觸區域,所述通道至少部分地布置在所述接觸區域上方,并且所述電導體以導電方式連接于所述接觸區域。
3.根據權利要求1所述的方法,包括:
設置由電絕緣材料構成的所述第二層,所述第二層包括從所述第二層的上側到達下側的至少一個凹部。
4.根據權利要求1所述的方法,包括:
使用光刻圖案化工藝在所述第一層中形成所述通道。
5.根據權利要求1所述的方法,包括:
使用光刻圖案化工藝在所述第二層中形成所述凹部。
6.根據權利要求1所述的方法,包括:
在所述基底層上設置液體光刻膠,之后將所述光刻膠固化成包括通道的絕緣第一層。
7.根據權利要求1所述的方法,包括:
用可通過光刻工藝圖案化的薄膜制造所述第二層,所述薄膜被固化以形成包括凹部的絕緣第二層并將所述第二層設置在所述第一層上。
8.根據權利要求1所述的方法,包括:
用薄膜制造所述第二層,并通過局部移除進行圖案化。
9.根據權利要求1所述的方法,包括:
用包括聚合物的塑料材料制造所述第一層。
10.根據權利要求1所述的方法,包括:
用聚合物制造所述第二層。
11.根據權利要求1所述的方法,包括:
用液態金屬填充所述通道。
12.根據權利要求1所述的方法,包括:
用液態金屬填充所述凹部。
13.根據權利要求1所述的方法,包括:
使所述第一和第二層在所述基底層上方橫向地延伸;并且
在所述基底層的一側的所述第二層的上側處形成所述凹部。
14.根據權利要求1所述的方法,其中,第三層包括被設置在所述第三層上的連續其它凹部,其它凹部被設置在所述凹部上方,所述其它凹部、所述凹部和所述通道被構造成電導體。
15.根據權利要求13所述的方法,包括使用襯底作為第三層。
16.根據權利要求13所述的方法,其中,所述第三層包括其它電導體,所述其它電導體與所述電導體導電連接。
17.根據權利要求13所述的方法,其中,所述第三層包括其它電導體,所述其它電導體鄰接于所述其它凹部,并與所述電導體導電連接。
18.根據權利要求1所述的方法,包括:
將由第一和第二層構成的層結構浸入在壓力室中的液體中,以便于填充所述通道和所述凹部;
之后增加所述壓力室中的壓力;
從所述液體中取出所述結構;
冷卻所述結構;
凝固所述液體以形成導電材料;以及
增加所述壓力室中的壓力。
19.根據權利要求18所述的方法,包括在浸入所述層結構之前減小所述壓力室中的壓力。
20.根據權利要求18所述的方法,包括在浸入到所述液體中之前將所述層結構加熱到高于環境溫度以上的溫度。
21.根據權利要求1所述的方法,包括:使用液態焊料作為液體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





