[發明專利]連接結構、電光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200710301184.5
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101211891A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 森脅稔
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

技術領域

本發明，涉及例如相互電連接設置于絕緣層的上側及下側之各側的導電膜的連接結構，及應用如此的連接結構而電連接像素電極及布線等的導電膜的電光裝置，及其制造方法的技術領域。

背景技術

在作為這種電光裝置之一例的液晶裝置中，由ITO(Indium?TinOxide，銦錫氧化物)等的透明導電膜所構成的像素電極，通過接觸孔電連接于形成于該像素電極的下層側的中繼層。在通過接觸孔而對中繼層及像素電極進行了電連接的情況下，存在難以擴大像素中的開口區域的技術性問題點。更具體地，因為例如為了對不透明的中繼層及像素電極通過接觸孔而進行電連接，中繼層的一部分重疊于像素電極，所以像素之中可以使光實質性地進行透射的開口區域的面積由于中繼層而變窄。并且，當在形成有遮擋理應對像素進行透射的光的布線、遮光膜、半導體元件等的非光透射要件的區域形成接觸孔時，例如為了將要形成接觸孔的絕緣層部分去除而需要確保考慮到2種掩模間的位置對準的裕量進行設計。從而，按確保裕量的量、像素中的非開口區域的比例變大，存在難以通過像素中的開口率(即，開口區域在像素中占的比例)上升而使顯示性能提高的問題點。

作為用于解決如此的問題點的方法之一例，專利文獻1，公開了能夠將通過絕緣膜而形成于互不相同的層的2個導電圖形以窄的區域進行連接的連接結構。

【專利文獻1】特開平11-3938號公報

但是，若依照于公開于專利文獻1的技術，則因為連接用導電膜延伸于比2個導電圖形之中一方的導電圖形靠下層側的導電圖形的上面，所以連接用導電膜的尺寸相應地增大。從而，由于下層側的導電圖形、連接用導電膜之中延伸于該導電圖形的上面的部分占的面積而存在像素的開口區域變窄的問題點。

另一方面，在為了向像素電極供給圖像信號而分別將設置于每個像素的像素開關用TFT的源區域及漏區域通過接觸孔連接于數據線側及像素電極側的各布線部的情況下，相應于這些布線部的電位的差異，在這些布線部間產生耦合電容。由于產生于布線間的耦合電容，當電光裝置工作時，存在使橫向串擾等的顯示不良發生的問題點。

發明內容

因而，本發明，鑒于例如上述的問題點所作出，目的在于提供能夠提高開口率、可以進行高質量的圖像顯示的電光裝置及其制造方法，以及可以應用于如此的電光裝置的連接結構。

本發明的第1發明中的連接結構為了解決上述問題，具備：形成于基板上的第1導電膜；形成于前述第1導電膜上，具有面向前述第1導電膜的一個端面所面向之側的其他端面的絕緣膜；和從前述絕緣膜的上表面延伸于前述一個端面及前述其他端面地形成，通過前述一個端面而與前述第1導電膜相互電連接的第2導電膜。

若依照于本發明的第1發明中的連接結構，則絕緣膜形成于第1導電膜上，向著第1導電膜的一個端面所面向之側，絕緣膜的其他端面而面向。即，一個端面及其他端面，從絕緣膜及第1導電膜看面向相同側。還有，其他端面，是為了與一個端面相區別而為了方便所采用的表達，是指絕緣膜的端面之中的面向第1導電膜的一個端面所面向之側的端面。如此的一個端面及其他端面，既可以相互位于同一平面上，也可以為：其他端面以一個端面作為基準而向一個端面所面向之側突出。若換言之，則一個端面，只要不是向著該一個端面所面向之側從其他端面突出，即可。

第2導電膜，從絕緣膜的上表面延伸于一個端面及其他端面地形成。

更具體地，第2導電膜，作為連續性地延伸于沿相對于基板的基板面相交的方向延伸的一個端面及其他端面的導電膜所形成。第2導電膜，通過一個端面而與第1導電膜相互電連接。更具體地，在一個端面及其他端面處于相互延伸于同一平面上的位置關系的情況下，通過沿一個端面及其他端面延伸地形成第2導電膜，該第2導電膜接觸于第1導電膜之中的一個端面。并且，在其他端面比一個端面向一個端面所面向之側突出的情況下，第1導電膜之中的與第2導電膜相接觸的部分仍是一個端面。

因為如此地與第1導電膜電連接的第2導電膜，從絕緣膜的上表面延伸于一個端面，所以通過絕緣膜而形成于互不相同的層的第1導電膜及第2導電膜通過一個端面相互電連接。

從而，若依照于本發明的第1發明中的連接結構，則與向著第1導電膜的一個端面所面向之側而從絕緣膜突出第1導電膜、延伸于該第1導電膜的上表面地形成第2導電膜的情況相比較，能夠按第1導電膜不從絕緣膜突出的量，減小包括第1導電膜及第2導電膜的連接區域的尺寸。