[發明專利]連接結構、電光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200710301184.5
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101211891A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 森脅稔
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種連接結構，其特征在于，具有：

形成于基板上的第1導電膜；

絕緣膜，其形成于前述第1導電膜上，具有面向前述第1導電膜的一個端面所面向之側的其他端面；和

第2導電膜，其從前述絕緣膜的上表面延伸于前述一個端面及前述其他端面地形成，通過前述一個端面，與前述第1導電膜相互電連接。

2.一種電光裝置，其特征在于，具有：

在基板上互相交叉的多條數據線及多條掃描線；

形成于對應于前述多條數據線及前述多條掃描線的交叉處所設置的多個像素的各個的像素電極；

第1導電膜，其形成于隔開前述多個像素之中的互相相鄰的像素的各自的開口區域的非開口區域，且電連接于前述像素電極，具有面向前述開口區域的一個端面；

絕緣膜，其形成于前述第1導電膜上，具有面向前述開口區域的其他端面；和

第2導電膜，其從前述絕緣膜上延伸于前述一個端面及前述其他端面地形成，通過前述一個端面電連接于前述第1導電膜。

3.按照權利要求2所述的電光裝置，其特征在于：

前述第2導電膜，為對前述第1導電膜及前述像素電極進行電中繼的島狀的中繼層，前述第2導電膜之中的延伸于前述絕緣膜上的部分與前述數據線形成于相同的層。

4.按照權利要求2或3所述的電光裝置，其特征在于：

前述第1導電膜，為半導體膜；

前述第2導電膜，包括接觸于前述半導體膜的鈦膜。

5.按照權利要求4所述的電光裝置，其特征在于：

前述第2導電膜，具有：具有比前述鈦膜高的導電率的金屬膜，和對前述金屬膜進行保護的保護膜。

6.一種電光裝置的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，其中，在隔開像素的各自的開口區域的非開口區域形成第1導電膜，前述像素為對應于在基板上互相交叉的多條數據線及多條掃描線的交叉處所設置的多個像素之中的互相相鄰的像素；

第2工序，其中，覆蓋前述第1導電膜地形成絕緣膜；

第3工序，其中，使得前述第1導電膜的一個端面朝向前述開口區域露出地去除前述絕緣膜；和

第4工序，其中，形成第2導電膜，前述第2導電膜從前述絕緣膜上，延伸于在前述第3工序中露出的前述絕緣膜的其他端面、及前述一個端面，且通過前述一個端面電連接于前述第1導電膜。

7.按照權利要求6所述的電光裝置的制造方法，其特征在于：

在前述第3工序中，將前述絕緣膜通過干蝕刻去除。

8.一種電光裝置，其特征在于，具有：

在基板上互相交叉的多條數據線及多條掃描線；

形成于對應于前述多條數據線及前述多條掃描線的交叉處所設置的多個像素的各個的像素電極；

第1部分及第2部分，其分別在導電層之中的、前述基板上的互不重疊的第1區域及第2區域，構成前述導電層的分別的一部分，前述導電層形成于互相隔開前述多個像素之中的互相相鄰的像素的開口區域的非開口區域；

第1絕緣部，其具有第1傾斜面，在前述第1區域之中的延伸于前述隔開的區域側的第1部分區域中，使得前述第1部分露出地形成于前述第1部分上，前述第1傾斜面通過隔開前述第1區域及前述第2區域的區域，從前述第1區域側面向前述第2區域側，且從前述第1區域朝向前述第2區域接近于前述第1部分的上表面地，相對于前述第1部分的上表面傾斜；

第2絕緣部，其具有第2傾斜面，在前述第2區域之中的延伸于前述隔開的區域側的第2部分區域中，使得前述第2部分露出地與前述第1絕緣部形成于相同的層，前述第2傾斜面通過前述隔開的區域，從前述第2區域側面向前述第1區域側，且從前述第2區域朝向前述第1區域接近于前述第2部分的上表面地，相對于前述第2部分的上表面傾斜；

從前述第1絕緣部的上表面延伸于前述第1傾斜面及前述第1部分的上表面的第1導電膜；和

第2導電膜，其從前述第2絕緣部的上表面延伸于前述第2傾斜面及前述第2部分的上表面，具有與供給于前述第1導電膜的電位不相同的電位。