[發(fā)明專利]具混合式插槽架構(gòu)的主板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710201879.6
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101398800A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許壽國;何敦逸;李政憲
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具混合式插槽架構(gòu)的主板，包括一北橋芯片、一用于插接第一存儲 器的第一組插槽、一用于插接第二存儲器的第二組插槽及一電壓調(diào)節(jié)電路， 所述第一組插槽包括若干與所述電壓調(diào)節(jié)電路連接的第一連接器，所述第二 組插槽包括若干與所述電壓調(diào)節(jié)電路連接的第二連接器，所述北橋芯片通過 一第一通道連接所述第一組插槽，并通過一第二通道連接所述第二組插槽， 所述電壓調(diào)節(jié)電路與所述第一組插槽及所述第二組插槽連接，當(dāng)所述第一存 儲器或第二存儲器被安裝于與其對應(yīng)的插槽時，所述安裝有對應(yīng)存儲器的插 槽產(chǎn)生一電平信號，所述電壓調(diào)節(jié)電路根據(jù)所述電平信號判別被安裝的存儲 器類型，并為所述的存儲器提供工作電壓，所述電壓調(diào)節(jié)電路包括一控制器、 一反饋偏壓電路、一濾波器及一線性穩(wěn)壓器，所述濾波器的輸入端與所述控 制器連接，所述濾波器的輸出端通過所述線性穩(wěn)壓器分別與所述第一及第二 連接器連接，所述控制器包括一反饋引腳，所述反饋偏壓電路包括一第一場 效應(yīng)晶體管及一第二場效應(yīng)晶體管，所述第一及第二場效應(yīng)晶體管的柵極分 別與所述第一連接器及第二連接器的一接地引腳連接，所述第一場效應(yīng)晶體 管的柵極還通過一第一電阻與一電源連接，所述第一場效應(yīng)晶體管的源極接 地，所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極與所述第二場效應(yīng)晶體管的柵極連接并通 過一第二電阻與所述電源連接，所述第二場效應(yīng)晶體管的源極接地，所述第 二場效應(yīng)晶體管的漏極通過一第三電阻與所述控制器的反饋引腳連接，所述 反饋引腳還通過一第四電阻接地并通過一第五電阻分別與所述濾波器的輸出 端及所述第一及第二連接器相連。

2.如權(quán)利要求1所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第一 組插槽包括兩個第一連接器及兩個分別連接于所述兩個第一連接器的終端電 阻。

3.如權(quán)利要求2所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第二 組插槽包括兩個第二連接器。

4.如權(quán)利要求1所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第一 場及第二場效應(yīng)晶體管均為NMOS場效應(yīng)晶體管。

5.如權(quán)利要求1所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第一 至第五電阻的阻值分別為4.7千歐姆、4.7千歐姆、2.4千歐姆、1.2千歐姆及 1.1千歐姆，且所述控制器的反饋引腳的電壓為0.78V。

6.如權(quán)利要求1所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第一 存儲器為DDR2存儲器。

7.如權(quán)利要求1所述的具混合式插槽架構(gòu)的主板，其特征在于：所述第二 存儲器為DDR3存儲器。