[發明專利]具混合式插槽架構的主板

無效

• 申請號: 200710201879.6
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101398800A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 許壽國;何敦逸;李政憲
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種計算機主板，特別涉及一種可彈性支持雙倍資料速率2 (Double?Data?Rate?2，簡稱DDR2)存儲器及雙倍資料速率3(Double?Data?Rate 3，簡稱DDR3)存儲器的主板。

背景技術

現在一般的計算機主板上，除了有中央處理器，控制芯片組及可供安裝 外接卡的插槽外，還有若干用于安裝存儲器的插槽。用戶可以根據需要，安 裝不同數量的存儲器。隨著存儲器制造技術的快速發展，DDR3存儲器由于 功耗及速度方面更強的性能將成為未來存儲器的主流。然而，從目前普遍使 用的DDR2存儲器轉換至DDR3存儲器仍需要一定的過渡期。

發明內容

鑒于以上內容，有必要提供一種具混合式插槽架構的主板，以彈性支持 DDR2存儲器及DDR3存儲器。

一種具混合式插槽架構的主板，包括一北橋芯片、一用于插接第一存儲 器的第一組插槽、一用于插接第二存儲器的第二組插槽及一電壓調節電路， 所述第一組插槽包括若干與所述電壓調節電路連接的第一連接器，所述第二 組插槽包括若干與所述電壓調節電路連接的第二連接器，所述北橋芯片通過 一第一通道連接所述第一組插槽，并通過一第二通道連接所述第二組插槽， 所述電壓調節電路與所述第一組插槽及所述第二組插槽連接，當所述第一存 儲器或第二存儲器被安裝于與其對應的插槽時，所述安裝有對應存儲器的插 槽產生一電平信號，所述電壓調節電路根據所述電平信號判別被安裝的存儲 器類型，并為所述的存儲器提供工作電壓，所述電壓調節電路包括一控制器、 一反饋偏壓電路、一濾波器及一線性穩壓器，所述濾波器的輸入端與所述控 制器連接，所述濾波器的輸出端通過所述線性穩壓器分別與所述第一及第二 連接器連接，所述控制器包括一反饋引腳，所述反饋偏壓電路包括一第一場 效應晶體管及一第二場效應晶體管，所述第一及第二場效應晶體管的柵極分 別與所述第一連接器及第二連接器的一接地引腳連接，所述第一場效應晶體 管的柵極還通過一第一電阻與一電源連接，所述第一場效應晶體管的源極接 地，所述第一場效應晶體管的漏極與所述第二場效應晶體管的柵極連接并通 過一第二電阻與所述電源連接，所述第二場效應晶體管的源極接地，所述第 二場效應晶體管的漏極通過一第三電阻與所述控制器的反饋引腳連接，所述 反饋引腳還通過一第四電阻接地并通過一第五電阻分別與所述濾波器的輸出 端及所述第一及第二連接器相連。

相較現有技術，所述具混合式插槽架構的主板上的存儲器插槽采用雙通 道混合式排列，對于布線設計來說，這種存儲器插槽的排列方式可以降低在 同一通道內混合式存儲器的布線復雜度；對于信號設計來說，混合式存儲器 插槽排列可以單獨處理混合式存儲器的信號完整性，簡化了信號設計的困難 度。

附圖說明

下面結合附圖及具體實施方式對本發明作進一步詳細描述：

圖1是本發明具混合式插槽架構的主板的較佳實施方式的框圖。

圖2是圖1的DDR2存儲器在有和無終端電阻時的定址信號波形對比圖。

圖3是圖1的供電系統的電路圖。

具體實施方式

請參考圖1，本發明具混合式插槽架構的主板的較佳實施方式包括一北橋 芯片40、一第一組插槽50、一第二組插槽60及一電壓調節電路10。

所述第一組插槽50包括兩第一連接器52及兩分別與所述兩第一連接器 52連接的終端電阻54，所述第一連接器用于插接第一存儲器，本較佳實施方 式中所述第一連接器52為DDR2連接器，第一存儲器為DDR2存儲器，所 述終端電阻54可以使第一存儲器52獲得品質較佳的信號，但考慮節省成本 與布線面積，所述終端電阻54可以移除，其移除后的定址信號仍能滿足信號 設計要求。所述第二組插槽60包括兩第二連接器62，用于插接第二存儲器， 本較佳實施方式中所述第二連接器62為DDR3連接器，第二存儲器為DDR3 存儲器。所述北橋芯片40通過一第一通道A連接所述第一組插槽50，通過 一第二通道B連接所述第二組插槽60。所述第一連接器52及第二連接器62 均連接所述電壓調節電路10，所述電壓調節電路10為所述第一連接器52及 第二連接器62提供工作電壓。本實施例是以最常見的每一個通道連接兩個連 接器舉例說明。所述具混合式插槽架構的主板采用混合式儲存器插槽排列方 式也可類推到每一個通道連接多個連接器，如三個以上。