[發明專利]太陽能電池組件有效
| 申請號: | 200710201701.1 | 申請日: | 2007-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN101388417A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發明(設計)人: | 陳杰良 | 申請(專利權)人: | 鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/045;H01L31/052 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池組件,特別涉及一種可以改變形狀的太陽能電池組件。
背景技術
太陽能電池主要應用的是光電轉換原理,其結構主要包括基板以及設置在基板上的P型半導體材料層和N型半導體材料層。
光電轉換是指太陽的輻射能光子通過半導體物質轉變為電能的過程(請參見“Grown?junction?GaAs?solar?cell”,Shen,C.C.;Pearson,G.L.;Proceedings?of?the?IEEE,Volume?64,Issue?3,March?1976?Page(s):384-385)。當太陽光照射到半導體上時,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半導體吸收或透過。被吸收的光,有一些變成熱能,另一些光子則同組成半導體的原子價電子碰撞,于是產生電子-空穴對。這樣,光能就以產生電子-空穴對的形式轉變為電能,并在P型和N型交界面兩邊形成勢壘電場,將電子驅向N區,空穴驅向P區,從而使得N區有過剩的電子,P區有過剩的空穴,在P-N結附近形成與勢壘電場方向相反的光生電場。光生電場的一部分除抵消勢壘電場外,還使P型層帶正電,N型層帶負電,在N區與P區之間的薄層產生所謂光生伏打電動勢。若分別在P型層和N型層焊上金屬引線,接通負載,則外電路便有電流通過。如此形成的一個個電池元件,把它們串聯、并聯起來,就能產生一定的電壓和電流,輸出功率。
近年來,太陽能電池已經廣泛應用于航天、工業、氣象等領域,如何將太陽能電池應用于日常生活中,以解決能源短缺、環境污染等問題已成為一個熱點問題。這其中,太陽能建筑:將太陽能電池與建筑材料相結合,使得未來的大型建筑或家庭房屋實現電力自給,是未來一大發展方向,德國、美國等國家更提出光伏屋頂計劃。
然而,一般的太陽能電池的基板都采用單晶硅、多晶硅或玻璃等材料,以這些材料為基板的太陽能電池大多只能以一個固定的方向接收太陽的輻射,這樣會有很大一部分的輻射能因不能被太陽能電池接收而浪費掉。
發明內容
有鑒于此,提供一種可改變形狀的太陽能電池組件實為必要。
一種太陽能電池組件,包括一個可撓曲太陽能電池,該可撓曲太陽能電池包括用于接收太陽輻射能的第一表面,及與該第一表面相對的第二表面。一形狀記憶體合金層貼附于該第二表面,以使該可撓曲太陽能電池隨該形狀記憶體合金層的形狀變化而改變形狀,該第一表面上設置有光輻射探測器,該太陽能電池組件進一步包括一個閉環控制電路,該閉環控制電路的輸入端電連接至該光輻射探測器,該閉環控制電路的輸出端電連接至該形狀記憶體合金層,該閉環控制電路根據該光輻射探測器探測到的光強控制該形狀記憶體合金層發生形變,該閉環控制電路包括一個比較單元及一個控制單元,該比較單元內存儲有至少一個太陽輻射強度參考值,該比較單元將該光輻射探測器探測的太陽輻射強度與該至少一個太陽輻射強度參考值進行比較并輸出一個控制信號至該控制單元,該控制單元根據該控制信號供給該形狀記憶體合金層相應的電流,以使該形狀記憶體合金層發生相適應的形變。
一種太陽能電池組件,包括一個可撓曲太陽能電池,該可撓曲太陽能電池包括用于接收太陽輻射能的第一表面,及與該第一表面相對的第二表面,一形狀記憶體合金層貼附于該第二表面,以使該可撓曲太陽能電池隨該形狀記憶體合金層的形狀變化而改變形狀,該形狀記憶體合金層由不同形狀記憶體合金材料形成的多個形狀記憶體合金薄膜層堆疊而成,該第一表面上設置有光輻射探測器,該太陽能電池組件進一步包括一個閉環控制電路,該閉環控制電路具有至少一個輸入端及多個輸出端,該輸入端電連接至該光輻射探測器,該多個輸出端分別電連接至該多個形狀記憶體合金薄膜層,該閉環控制電路根據該光輻射探測器探測到的光強分別控制該多個形狀記憶體合金層發生形變,該閉環控制電路包括一個比較單元及一個控制單元,該比較單元內存儲有至少一個太陽輻射強度參考值,該比較單元將該光輻射探測器探測的太陽輻射強度與該至少一個太陽輻射強度參考值進行比較并輸出一個控制信號至該控制單元,該控制單元根據該控制信號供給該形狀記憶體合金層相應的電流,以使該形狀記憶體合金層發生相適應的形變。
相對于現有技術,本發明提供的太陽能電池組件可以根據太陽能的輻射強度改變太陽能電池的形狀,使其能夠接收更多的太陽輻射能,提高光電轉換效率。
附圖說明
圖1是本發明第一實施例的太陽能電池組件的結構示意圖。
圖2是圖1所示太陽能電池組件中可撓曲太陽能電池的結構示意圖。
圖3是本發明第二實施例的太陽能電池組件的結構示意圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司,未經鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710201701.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





