[發(fā)明專利]太陽能電池組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710201701.1
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101388417A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳杰良
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/045;H01L31/052
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能電池組件，包括一個(gè)可撓曲太陽能電池，該可撓曲太陽能電池包括用于接收太陽輻射能的第一表面，及與該第一表面相對的第二表面，其特征在于，一形狀記憶體合金層貼附于該第二表面，以使該可撓曲太陽能電池隨該形狀記憶體合金層的形狀變化而改變形狀，該第一表面上設(shè)置有光輻射探測器，該太陽能電池組件進(jìn)一步包括一個(gè)閉環(huán)控制電路，該閉環(huán)控制電路的輸入端電連接至該光輻射探測器，該閉環(huán)控制電路的輸出端電連接至該形狀記憶體合金層，該閉環(huán)控制電路根據(jù)該光輻射探測器探測到的光強(qiáng)控制該形狀記憶體合金層發(fā)生形變，該閉環(huán)控制電路包括一個(gè)比較單元及一個(gè)控制單元，該比較單元內(nèi)存儲有至少一個(gè)太陽輻射強(qiáng)度參考值，該比較單元將該光輻射探測器探測的太陽輻射強(qiáng)度與該至少一個(gè)太陽輻射強(qiáng)度參考值進(jìn)行比較并輸出一個(gè)控制信號至該控制單元，該控制單元根據(jù)該控制信號供給該形狀記憶體合金層相應(yīng)的電流，以使該形狀記憶體合金層發(fā)生相適應(yīng)的形變。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，該形狀記憶體合金層的材料是具雙程形狀記憶效應(yīng)的形狀記憶體合金材料。

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，該形狀記憶體合金層是單層結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池組件，其特征在于，該形狀記憶體合金層的材料是單晶態(tài)的形狀記憶體合金。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，該形狀記憶體合金層的材料是Ti-Ni合金，銅基形狀記憶體合金，或鐵基形狀記憶體合金。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于，該光輻射探測器是光熱式光輻射探測器，光電式光輻射探測器，或光壓式光輻射探測器。

7.一種太陽能電池組件，包括一個(gè)可撓曲太陽能電池，該可撓曲太陽能電池包括用于接收太陽輻射能的第一表面，及與該第一表面相對的第二表面，其特征在于，一形狀記憶體合金層貼附于該第二表面，以使該可撓曲太陽能電池隨該形狀記憶體合金層的形狀變化而改變形狀，該形狀記憶體合金層由不同形狀記憶體合金材料形成的多個(gè)形狀記憶體合金薄膜層堆疊而成，該第一表面上設(shè)置有光輻射探測器，該太陽能電池組件進(jìn)一步包括一個(gè)閉環(huán)控制電路，該閉環(huán)控制電路具有至少一個(gè)輸入端及多個(gè)輸出端，該輸入端電連接至該光輻射探測器，該多個(gè)輸出端分別電連接至該多個(gè)形狀記憶體合金薄膜層，該閉環(huán)控制電路根據(jù)該光輻射探測器探測到的光強(qiáng)分別控制該多個(gè)形狀記憶體合金層發(fā)生形變，該閉環(huán)控制電路包括一個(gè)比較單元及一個(gè)控制單元，該比較單元內(nèi)存儲有至少一個(gè)太陽輻射強(qiáng)度參考值，該比較單元將該光輻射探測器探測的太陽輻射強(qiáng)度與該至少一個(gè)太陽輻射強(qiáng)度參考值進(jìn)行比較并輸出一個(gè)控制信號至該控制單元，該控制單元根據(jù)該控制信號供給該形狀記憶體合金層相應(yīng)的電流，以使該形狀記憶體合金層發(fā)生相適應(yīng)的形變。

8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池組件，其特征在于，該光輻射探測器是光熱式光輻射探測器，光電式光輻射探測器，或光壓式光輻射探測器。